2011年 第40卷 第12期
回顾和总结了国产电阻阵列3 个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64 64 电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻， 成品率较高但与CMOS 工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小；第二代128128 和256256 电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻，基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题，但占空比和规模提高有限；第三代128128 复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术，占空比显著提高，功耗明显下降，该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术，但技术成熟度有待进一步提高。最后，对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。
在(100)单晶Si 衬底上，采用MEMS 工艺和丝网印刷方法制作了锆钛酸铅(PZT)厚膜热释电红外探测器，深入研究了PZT 厚膜材料的制备方法与器件加工工艺。采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液腐蚀Si 衬底制备硅杯结构。为防止Pb 和Si 相互扩散，在Pt 底电极与SiO2/ Si 衬底之间通过射频反应溅射制备了Al2O3 薄膜阻挡层。采用丝网印刷在硅杯中制备了30 m 厚的PZT 材料，并用冷等静压技术提高厚膜的致密度，实现了PZT 厚膜在850℃的低温烧结。PZT 厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为210 和0.017，动态法测得热释电系数为1.510-8Ccm-2K-1。最后制备了敏感元为3 mm3 mm 的单元红外探测器，使用由斩波器调制的黑体辐射，在调制频率为112.9 Hz 时测得器件的探测率达到最大值7.4107 cmHz1/2W-1。
由于非制冷红外焦平面阵列的非均匀性随使用环境温度的变化漂移， 校正参数需要经常更新。针对非制冷红外焦平面阵列非均匀这一特点和定标校正的不足，应用红外焦平面阵列二元非线性的非均匀性理论模型，提出了环境温度补偿的非均匀性校正，该方法既考虑了在大动态范围目标温度探测器响应的非线性，又考虑了使用环境温度变化对非均匀性的影响，从而进行了目标辐射温度非线性非均匀校正和对环境温度漂移的补偿，详细介绍了该校正技术的实施程序。比较了几种校正方法的校正效果,定量测试结果表明，该方法可达到0.017%的校正后残留非均匀性，提高了校正精度；实时成像显示，该校正技术改善了红外成像的图像质量，扩大了校正技术的适用范围。
