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GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

胡小英 刘卫国 段存丽 蔡长龙 关晓

胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 关晓. GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(8): 2305-2308.
引用本文: 胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 关晓. GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(8): 2305-2308.
Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Guan Xiao. Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(8): 2305-2308.
Citation: Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Guan Xiao. Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(8): 2305-2308.

GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

基金项目: 

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西北工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

详细信息
    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,博士,主要从事红外微光电子技术研究。Email:490027874@qq.com

  • 中图分类号: TN215

Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors

  • 摘要: 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 m300 m台面,内电极压焊点面积为20 m20 m,外电极压焊点面积为80 m80 m单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 m,8.32 m,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5 m间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-12-05
  • 修回日期:  2015-01-10
  • 刊出日期:  2015-08-25

GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,博士,主要从事红外微光电子技术研究。Email:490027874@qq.com

基金项目:

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西北工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

  • 中图分类号: TN215

摘要: 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 m300 m台面,内电极压焊点面积为20 m20 m,外电极压焊点面积为80 m80 m单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 m,8.32 m,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5 m间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。

English Abstract

参考文献 (19)

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