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势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响

胡小英 刘卫国 段存丽 蔡长龙 牛小玲

胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 牛小玲. 势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(10): 2995-2999.
引用本文: 胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 牛小玲. 势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(10): 2995-2999.
Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Niu Xiaoling. Effect of barrier height on spectral characteristics of GaAs/AlxGa1-xAs QWIP[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(10): 2995-2999.
Citation: Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Niu Xiaoling. Effect of barrier height on spectral characteristics of GaAs/AlxGa1-xAs QWIP[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(10): 2995-2999.

势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响

基金项目: 

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西安工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

详细信息
    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,研究生导师,博士,主要从事红外光电材料与器件方面的研究。Email:490027874@qq.com

  • 中图分类号: TN215

Effect of barrier height on spectral characteristics of GaAs/AlxGa1-xAs QWIP

  • 摘要: 为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及AlGaAs与GaAs晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因。说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-02-10
  • 修回日期:  2015-03-15
  • 刊出日期:  2015-10-25

势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响

    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,研究生导师,博士,主要从事红外光电材料与器件方面的研究。Email:490027874@qq.com

基金项目:

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西安工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

  • 中图分类号: TN215

摘要: 为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电镜实验结果表明量子阱材料生长过程精度控制不够及AlGaAs与GaAs晶格不匹配是造成1#样品误差较大的主要原因。说明调节势垒高度可实现QWIP峰值波长微调的目的。

English Abstract

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