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Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究

韩军 范琳琳 刘欢

韩军, 范琳琳, 刘欢. Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(10): 3055-3060.
引用本文: 韩军, 范琳琳, 刘欢. Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(10): 3055-3060.
Han Jun, Fan Linlin, Liu Huan. Al micropore array wet etching[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(10): 3055-3060.
Citation: Han Jun, Fan Linlin, Liu Huan. Al micropore array wet etching[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(10): 3055-3060.

Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究

基金项目: 

总装备部预研基金;微光夜视技术重点实验室基金(J20130203)

详细信息
    作者简介:

    范琳琳(1989-),男,硕士生,主要从事光电测试计量技术方面的研究。Email:aizhulin1314@126.com;韩军(1963-),男,教授,博士,主要从事光电检测方面的研究。Email:HanJun513@126.com

    范琳琳(1989-),男,硕士生,主要从事光电测试计量技术方面的研究。Email:aizhulin1314@126.com;韩军(1963-),男,教授,博士,主要从事光电检测方面的研究。Email:HanJun513@126.com

  • 中图分类号: TB756

Al micropore array wet etching

  • 摘要: 微通道板(Microchannel Plate,MCP)是像增强器中实现电子倍增的关键器件。以硅为基体制备的微通道板相对于传统的微通道板在性能方面有很大的提高。在对硅进行反应离子深刻蚀(DRIE)前,需要对充当掩蔽层的金属铝膜进行湿法腐蚀。对于掩模图形为孔径10 m、孔间距5 m的大面阵的微孔阵列,在腐蚀过程中,微孔孔径较小导致溶液对流困难且反应生成物H2极易吸附在反应界面上,影响反应物质的输送和化学反应的进行。如果腐蚀参数不合适,阵列式微孔图形会出现随机腐蚀、不完全腐蚀、过腐蚀等现象。通过加入表面活性剂,减小溶液中表面应力,可以促使反应物H2排出。同时通过逐一控制变量,研究了腐蚀液浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对腐蚀结果的影响。结果表明,腐蚀速率与腐蚀液浓度、腐蚀液温度成正比。通过参数优化,得到了最佳的腐蚀参数。此时图形完整,尺寸准确,解决了微孔阵列的图形化问题。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-02-13
  • 修回日期:  2015-03-17
  • 刊出日期:  2015-10-25

Al膜的微孔阵列湿法腐蚀技术研究

    作者简介:

    范琳琳(1989-),男,硕士生,主要从事光电测试计量技术方面的研究。Email:aizhulin1314@126.com;韩军(1963-),男,教授,博士,主要从事光电检测方面的研究。Email:HanJun513@126.com

    范琳琳(1989-),男,硕士生,主要从事光电测试计量技术方面的研究。Email:aizhulin1314@126.com;韩军(1963-),男,教授,博士,主要从事光电检测方面的研究。Email:HanJun513@126.com

基金项目:

总装备部预研基金;微光夜视技术重点实验室基金(J20130203)

  • 中图分类号: TB756

摘要: 微通道板(Microchannel Plate,MCP)是像增强器中实现电子倍增的关键器件。以硅为基体制备的微通道板相对于传统的微通道板在性能方面有很大的提高。在对硅进行反应离子深刻蚀(DRIE)前,需要对充当掩蔽层的金属铝膜进行湿法腐蚀。对于掩模图形为孔径10 m、孔间距5 m的大面阵的微孔阵列,在腐蚀过程中,微孔孔径较小导致溶液对流困难且反应生成物H2极易吸附在反应界面上,影响反应物质的输送和化学反应的进行。如果腐蚀参数不合适,阵列式微孔图形会出现随机腐蚀、不完全腐蚀、过腐蚀等现象。通过加入表面活性剂,减小溶液中表面应力,可以促使反应物H2排出。同时通过逐一控制变量,研究了腐蚀液浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对腐蚀结果的影响。结果表明,腐蚀速率与腐蚀液浓度、腐蚀液温度成正比。通过参数优化,得到了最佳的腐蚀参数。此时图形完整,尺寸准确,解决了微孔阵列的图形化问题。

English Abstract

参考文献 (19)

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