InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

徐庆庆; 陈建新; 周易; 李天兴; 金巨鹏; 林春; 何力

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InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力

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徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力. InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 7-9.

引用本文:

徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力. InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 7-9.

Xu Qingqing, Chen Jianxin, Zhou Yi, Li Tianxing, Jin Jupeng, Lin Chun, He Li. Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 7-9.

Citation:

Xu Qingqing, Chen Jianxin, Zhou Yi, Li Tianxing, Jin Jupeng, Lin Chun, He Li. Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 7-9.

InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

1.
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors

1.
Key Laboratory of Infrared Image Materials and Devices,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China

摘要: InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器，其优越性表现在高量子效率和高工作温度，以及良好的均匀性和较低的暗电流密度，因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺，包括生长温度和快门顺序等，获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料，X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8，晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W，黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W，峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。
- InAs/GaSb /
- 超晶格 /
- 红外探测器 /
- 分子束外延
Abstract: Infrared (IR) photo detectors based on InAs/GaSb type II superlattice have developed quickly in recent years. Many groups show great interest in InAs/GaSb superlattice detector for its superiors as high quantum efficient, high working temperature, high uniformity and low dark current densities. The growth of mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates by molecular beam epitaxy (MBE) was studied. The growth temperature and the interface structures to obtain high quality material were optimized. The InAs/GaSb superlattice layers were characterized by atomic force microscope(AFM) and high resolution X-ray diffraction(XRD). Finally, highly lattice matched mid-infrared InAs/GaSb superlattice material was achieved. The FWHM of the 0th satellite peak of X-ray scanning curve is 28.8 arcsec. The p-i-n single IR photodiode based on InAs/GaSb superlattice has current responsivity of 0.48 A/W and blackbody detectivity of 4.541010 cmHz1/2W, and peak detectivity of 1.751011 cmHz1/2W at 77 K.
- InAs/GaSb /
- superlattice /
- infrared detector /
- molecular beam epitaxy（MBE）

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InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

1. 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

刊出日期: 2012-01-25

关键词:

摘要: InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器，其优越性表现在高量子效率和高工作温度，以及良好的均匀性和较低的暗电流密度，因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺，包括生长温度和快门顺序等，获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料，X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8，晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W，黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W，峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。