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InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

徐庆庆 陈建新 周易 李天兴 金巨鹏 林春 何力

徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力. InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 7-9.
引用本文: 徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力. InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(1): 7-9.
Xu Qingqing, Chen Jianxin, Zhou Yi, Li Tianxing, Jin Jupeng, Lin Chun, He Li. Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 7-9.
Citation: Xu Qingqing, Chen Jianxin, Zhou Yi, Li Tianxing, Jin Jupeng, Lin Chun, He Li. Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(1): 7-9.

InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

Mid-wavelength infrared InAs/GaSb type Ⅱ superlattice detectors

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出版历程
  • 刊出日期:  2012-01-25

InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器

摘要: InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8,晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。

English Abstract

参考文献 (19)

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