留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

刘炜

刘炜. 两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(7): 1815-1818.
引用本文: 刘炜. 两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(7): 1815-1818.
Liu Wei. Passivation of InSb detector with two oxide method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(7): 1815-1818.
Citation: Liu Wei. Passivation of InSb detector with two oxide method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(7): 1815-1818.

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

基金项目: 

国家自然科学基金(6171012)

详细信息
    作者简介:

    刘炜(1978-),男,工程师,主要从事红外探测器方面的研究。Email:liuweiplayer@sina.com

  • 中图分类号: TN21

Passivation of InSb detector with two oxide method

  • 摘要: 比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为21011 cm-2,后者为1.51011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。
  • [1] Wang Ping, Zhu Longyuan, Li Xiangyang, et al. Chemical structure of HgCdTe-anodic oxide[J]. Infrared and Laser Engineering, 2006, 35(2): 208-211. (in Chinese) 王平, 朱龙源, 李向阳, 等. 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析[J]. 红外与激光工程, 2006, 35(2): 208-211.
    [2]
    [3]
    [4] Xu Shuli, Wang Haizhen. Wet-chamfering techniques for hybrid focal plane arrays[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(S): 526-528. (in Chinese) 徐淑丽, 王海珍. 混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(S): 526-528.
    [5] Yu Zung. CHIOU on the annealing effects of GaN metal-insulator-semiconductor capacitors with photo-chemical vapor deposition oxide layers[J]. Jpn J Appl Phys, 2006, 45(4B): 3045-3048.
    [6]
    [7] Atsushi Yokotani, Kouichi Amari, et al. Analysis of the photochemical reaction on the surface for room temperature deposition of SIO2 thin films by photo-CVD using vacuum ultraviolet light[J]. Jpn J Appl Phys, 2005, 44(2): 1019-1021.
    [8]
    [9]
    [10] Wang Chunkai, Chang Shooujinn, Su Yan-kuin, et al. High temperature performance and low frequency noise characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure MOS heterostructure field effect transistors with photochemical vapor deposition SIO2 layer[J]. Jpn J Appl Phys, 2005, 44(4B): 2458-2461.
    [11] Jaroslaw Rutkowski, Jakub Wenus, Waldemar Gawron. Gate-controlled narrow-bandgap photodiodes passivated with rf sputtered dielectrics[C]//SPIE, 2011, 3725: 310-315.
    [12]
    [13]
    [14] Bregman J, Yoram Shapira, Calahorra Z. Correlations between the chemical and electronic structure of thermally treated anodized insb[J]. J Vac Sci Technol, 1987, 5(4): 1432-1436.
    [15] Liu Enke, Zhu Bingsheng, Luo Jinsheng. Semiconductor Physics[M]. Xi'an: Xi'an Jiaotong University Press, 2006. (in Chinese) 刘恩科, 朱秉升, 罗晋生. 半导体物理学[M]. 西安: 西安交通大学出版社, 2006.
  • [1] 张春芳, 柳渊, 巩明亮, 刘炳锋, 龚蕊芯, 刘家伯, 安和平, 张东亮, 郑显通, 鹿利单, 冯玉林, 祝连庆.  势垒型InAs/InAsSb II类超晶格红外探测器研究进展(特邀) . 红外与激光工程, 2022, 51(12): 20220667-1-20220667-16. doi: 10.3788/IRLA20220667
    [2] 王军, 何美誉, 韩兴伟, 韩超, 韩嘉悦.  局域场增强石墨烯近红外光电探测器(特邀) . 红外与激光工程, 2022, 51(1): 20210823-1-20210823-8. doi: 10.3788/IRLA20210823
    [3] 马旭, 李云雪, 黄润宇, 叶海峰, 侯泽鹏, 史衍丽.  短波红外探测器的发展与应用(特邀) . 红外与激光工程, 2022, 51(1): 20210897-1-20210897-12. doi: 10.3788/IRLA20210897
    [4] 许航瑀, 王鹏, 陈效双, 胡伟达.  二维半导体红外光电探测器研究进展(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211017-1-20211017-14. doi: 10.3788/IRLA20211017
    [5] 吴峰, 戴江南, 陈长清, 许金通, 胡伟达.  GaN基多量子阱红外探测器研究进展(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211020-1-20211020-15. doi: 10.3788/IRLA20211020
    [6] 黄一彬, 王英, 朱颖峰, 魏超群, 孙鸿生, 董黎.  红外探测器杜瓦封装多余物的衍射分析及控制 . 红外与激光工程, 2021, 50(3): 20200177-1-20200177-6. doi: 10.3788/IRLA20200177
    [7] 余黎静, 唐利斌, 杨文运, 郝群.  非制冷红外探测器研究进展(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211013-1-20211013-15. doi: 10.3788/IRLA20211013
    [8] 朱旭波, 彭震宇, 曹先存, 何英杰, 姚官生, 陶飞, 张利学, 丁嘉欣, 李墨, 张亮, 王雯, 吕衍秋.  InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器 . 红外与激光工程, 2019, 48(11): 1104001-1104001(6). doi: 10.3788/IRLA201948.1104001
    [9] 李国元, 唐新明, 樊文锋, 窦显辉, 马跃.  基于地面红外探测器的星载激光测高仪在轨几何定标 . 红外与激光工程, 2017, 46(11): 1117004-1117004(7). doi: 10.3788/IRLA201746.1117004
    [10] 陈刚, 李墨, 吕衍秋, 朱旭波, 曹先存.  分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应 . 红外与激光工程, 2017, 46(12): 1204003-1204003(5). doi: 10.3788/IRLA201746.1204003
    [11] 朱旭波, 李墨, 陈刚, 张利学, 曹先存, 吕衍秋.  InAlSb红外光电二极管性能研究 . 红外与激光工程, 2017, 46(7): 704002-0704002(5). doi: 10.3788/IRLA201746.0704002
    [12] 李强, 陈立恒.  复杂外热流条件下红外探测器组件热设计 . 红外与激光工程, 2016, 45(9): 904002-0904002(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0904002
    [13] 汪洋, 刘大福, 徐勤飞, 王妮丽, 李雪, 龚海梅.  不同结构红外光导探测器组件光串分析 . 红外与激光工程, 2016, 45(4): 404001-0404001(5). doi: 10.3788/IRLA201645.0404001
    [14] 刘家琛, 唐鑫, 巨永林.  微型红外探测器组件快速冷却过程数值模拟分析 . 红外与激光工程, 2015, 44(3): 816-820.
    [15] 孙志远, 常松涛, 朱玮.  中波红外探测器辐射定标的简化方法 . 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2132-2137.
    [16] 王雯, 张小雷, 吕衍秋, 司俊杰.  Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1359-1363.
    [17] 骆守俊, 彭晴晴, 郭亮.  红外探测器内部颗粒物对图像的影响 . 红外与激光工程, 2013, 42(3): 590-594.
    [18] 吴思捷, 赵晓蓓, 杨东升, 闫杰.  激光辐照对红外探测器的损伤 . 红外与激光工程, 2013, 42(5): 1184-1188.
    [19] 徐庆庆, 陈建新, 周易, 李天兴, 金巨鹏, 林春, 何力.  InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器 . 红外与激光工程, 2012, 41(1): 7-9.
    [20] 曹家强, 吴传贵, 彭强祥, 罗文博, 张万里, 王书安.  硅基PZT 热释电厚膜红外探测器的研制 . 红外与激光工程, 2011, 40(12): 2323-2327.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  258
  • HTML全文浏览量:  35
  • PDF下载量:  281
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-07
  • 修回日期:  2012-12-03
  • 刊出日期:  2013-07-25

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

    作者简介:

    刘炜(1978-),男,工程师,主要从事红外探测器方面的研究。Email:liuweiplayer@sina.com

基金项目:

国家自然科学基金(6171012)

  • 中图分类号: TN21

摘要: 比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为21011 cm-2,后者为1.51011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。

English Abstract

参考文献 (15)

目录

    /

    返回文章
    返回