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含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性

李文胜 张琴 黄海铭 付艳华 是度芳

李文胜, 张琴, 黄海铭, 付艳华, 是度芳. 含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(8): 2033-2037.
引用本文: 李文胜, 张琴, 黄海铭, 付艳华, 是度芳. 含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(8): 2033-2037.
LI Wen-Sheng-, ZHANG Qin-, HUANG Hai-Ming-, FU Yan-Hua-, SHI Du-Fang-. Polarization properties of photonic crystal tunneling mode containing single-negative materials[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(8): 2033-2037.
Citation: LI Wen-Sheng-, ZHANG Qin-, HUANG Hai-Ming-, FU Yan-Hua-, SHI Du-Fang-. Polarization properties of photonic crystal tunneling mode containing single-negative materials[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(8): 2033-2037.

含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性

Polarization properties of photonic crystal tunneling mode containing single-negative materials

  • 摘要: 为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角增加、B介质的介电常数B或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移。上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的。隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义。
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-08-25

含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性

摘要: 为探讨含磁单负材料光子晶体的偏振特性,构造了由普通材料A(SiO2)和磁单负材料B组成的(AB)3(BA)3对称型一维光子晶体。数值计算结果表明,垂直入射时,原禁带的1 907 nm处出现了一个十分尖锐的隧穿模。对TE波,入射角增加、B介质的介电常数B或几何厚度减少时,禁带边缘蓝移,宽度变窄,隧穿模的透射率和半峰全宽保持不变,但其位置蓝移。上述3个参数分别变化时,TM波的透射谱及隧穿模的变化规律与TE波的相同,只是入射角增加时,TM波禁带长波边缘的蓝移量小于TE波的。隧穿模的这些偏振特性对高品质滤波器的设计具有指导意义。

English Abstract

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