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真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性

陈向前 彭滟 方丹 周云燕 刘姝祺 蔡斌 朱亦鸣

陈向前, 彭滟, 方丹, 周云燕, 刘姝祺, 蔡斌, 朱亦鸣. 真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(2): 398-403.
引用本文: 陈向前, 彭滟, 方丹, 周云燕, 刘姝祺, 蔡斌, 朱亦鸣. 真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(2): 398-403.
Chen Xiangqian, Peng Yan, Fang Dan, Zhou Yunyan, Liu Shuqi, Cai Bin, Zhu Yiming. Micro-structured silicon fabricated by femtosecond laser pulse for infrared sensor[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(2): 398-403.
Citation: Chen Xiangqian, Peng Yan, Fang Dan, Zhou Yunyan, Liu Shuqi, Cai Bin, Zhu Yiming. Micro-structured silicon fabricated by femtosecond laser pulse for infrared sensor[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(2): 398-403.

真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性

基金项目: 

上海市重点学科项目第三期工程(S30502);科技部国家重大基础研究项目973计划(2012CB934203);上海市教育委员会-上海市教育发展基金会“晨光计划”(12CG54);中国国家自然科学基金会(61007059,11104186,61138001,11174207);国家重大仪器专项(2011YQ150021,2012YQ150092,2012YQ140005);上海市基础研究重点项目(12510502300)

详细信息
    作者简介:

    陈向前(1990- ),男,硕士生,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料方面的研究。Email:kuailecxq@163.com;彭滟(1982- ),女,副教授,博士,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料以及超快光学、超快电子学、太赫兹技术应用 三者交叉领域的理论和实验等方面的研究。Email:py@usst.edu.cn

    陈向前(1990- ),男,硕士生,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料方面的研究。Email:kuailecxq@163.com;彭滟(1982- ),女,副教授,博士,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料以及超快光学、超快电子学、太赫兹技术应用 三者交叉领域的理论和实验等方面的研究。Email:py@usst.edu.cn

  • 中图分类号: O436

Micro-structured silicon fabricated by femtosecond laser pulse for infrared sensor

  • 摘要: 在真空环境下利用飞秒激光制备的黑硅材料,其形貌与SF6气氛中制备的黑硅材料有着很大的区别。为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性,通过改变入射脉冲能量研究其峰值变化以及吸收特性,发现当峰值达到一定高度时其对200~2 500 nm波段的光波有95%左右的吸收效率,这与SF6气氛中制备的微构造硅的吸收效率不相上下。最后对两种环境下制备的黑硅样品进行退火处理,发现真空环境下制备的黑硅材料比SF6气氛中制备的黑硅样品具有更好的耐退火性。这些结果对于利用真空环境下制备的微构造硅制作红外传感器具有重要意义。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-06-12
  • 修回日期:  2013-07-13
  • 刊出日期:  2014-02-25

真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性

    作者简介:

    陈向前(1990- ),男,硕士生,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料方面的研究。Email:kuailecxq@163.com;彭滟(1982- ),女,副教授,博士,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料以及超快光学、超快电子学、太赫兹技术应用 三者交叉领域的理论和实验等方面的研究。Email:py@usst.edu.cn

    陈向前(1990- ),男,硕士生,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料方面的研究。Email:kuailecxq@163.com;彭滟(1982- ),女,副教授,博士,主要从事飞秒脉冲激光制备硅基光伏材料以及超快光学、超快电子学、太赫兹技术应用 三者交叉领域的理论和实验等方面的研究。Email:py@usst.edu.cn

基金项目:

上海市重点学科项目第三期工程(S30502);科技部国家重大基础研究项目973计划(2012CB934203);上海市教育委员会-上海市教育发展基金会“晨光计划”(12CG54);中国国家自然科学基金会(61007059,11104186,61138001,11174207);国家重大仪器专项(2011YQ150021,2012YQ150092,2012YQ140005);上海市基础研究重点项目(12510502300)

  • 中图分类号: O436

摘要: 在真空环境下利用飞秒激光制备的黑硅材料,其形貌与SF6气氛中制备的黑硅材料有着很大的区别。为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性,通过改变入射脉冲能量研究其峰值变化以及吸收特性,发现当峰值达到一定高度时其对200~2 500 nm波段的光波有95%左右的吸收效率,这与SF6气氛中制备的微构造硅的吸收效率不相上下。最后对两种环境下制备的黑硅样品进行退火处理,发现真空环境下制备的黑硅材料比SF6气氛中制备的黑硅样品具有更好的耐退火性。这些结果对于利用真空环境下制备的微构造硅制作红外传感器具有重要意义。

English Abstract

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