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基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管(英文)

魏佳童 陈立伟 胡海帆 刘志远

魏佳童, 陈立伟, 胡海帆, 刘志远. 基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管(英文)[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(S1): 188-193. doi: 10.3788/IRLA201645.S120002
引用本文: 魏佳童, 陈立伟, 胡海帆, 刘志远. 基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管(英文)[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(S1): 188-193. doi: 10.3788/IRLA201645.S120002
Wei Jiatong, Chen Liwei, Hu Haifan, Liu Zhiyuan. An advanced integrated avalanche photodiode with Si and Ge material[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(S1): 188-193. doi: 10.3788/IRLA201645.S120002
Citation: Wei Jiatong, Chen Liwei, Hu Haifan, Liu Zhiyuan. An advanced integrated avalanche photodiode with Si and Ge material[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(S1): 188-193. doi: 10.3788/IRLA201645.S120002

基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管(英文)

doi: 10.3788/IRLA201645.S120002
基金项目: 

黑龙江省自然科学基金(F201413);中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCF130818)

详细信息
    作者简介:

    魏佳童(1990-),女,硕士生,主要从事同时电子信息技术与光电器件方面的研究。Email:13946025949@163.com

    通讯作者: 胡海帆(1984-),男,讲师,博士,主要从事物理电子学与现代光电器件方面的研究。Email:huhaifan1@163.com
  • 中图分类号: TN364.2

An advanced integrated avalanche photodiode with Si and Ge material

  • 摘要: 提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-02-01
  • 修回日期:  2016-03-20
  • 刊出日期:  2016-05-25

基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管(英文)

doi: 10.3788/IRLA201645.S120002
    作者简介:

    魏佳童(1990-),女,硕士生,主要从事同时电子信息技术与光电器件方面的研究。Email:13946025949@163.com

    通讯作者: 胡海帆(1984-),男,讲师,博士,主要从事物理电子学与现代光电器件方面的研究。Email:huhaifan1@163.com
基金项目:

黑龙江省自然科学基金(F201413);中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCF130818)

  • 中图分类号: TN364.2

摘要: 提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。

English Abstract

参考文献 (15)

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