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γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

马腾 苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 魏莹 余学峰 郭旗

马腾, 苏丹丹, 周航, 郑齐文, 崔江维, 魏莹, 余学峰, 郭旗. γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(9): 920006-0920006(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0920006
引用本文: 马腾, 苏丹丹, 周航, 郑齐文, 崔江维, 魏莹, 余学峰, 郭旗. γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(9): 920006-0920006(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0920006
Ma Teng, Su Dandan, Zhou Hang, Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Wei Ying, Yu Xuefeng, Guo Qi. Effects of time-dependent dielectric breakdown reliability of 130 nm partially depleted SOI MOS devices exposed to γ-ray[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(9): 920006-0920006(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0920006
Citation: Ma Teng, Su Dandan, Zhou Hang, Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Wei Ying, Yu Xuefeng, Guo Qi. Effects of time-dependent dielectric breakdown reliability of 130 nm partially depleted SOI MOS devices exposed to γ-ray[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(9): 920006-0920006(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0920006

γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

doi: 10.3788/IRLA201847.0920006
基金项目: 

国家自然科学基金(11475255);国家自然科学基金青年科学基金(11505282);中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)

详细信息
    作者简介:

    马腾(1988-),男,硕士生,主要从事微纳器件辐射效应与加固技术方面的研究。Email:mateng15@mails.ucas.ac.cn

  • 中图分类号: TN386.5

Effects of time-dependent dielectric breakdown reliability of 130 nm partially depleted SOI MOS devices exposed to γ-ray

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出版历程
  • 收稿日期:  2018-04-05
  • 修回日期:  2018-05-03
  • 刊出日期:  2018-09-25

γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

doi: 10.3788/IRLA201847.0920006
    作者简介:

    马腾(1988-),男,硕士生,主要从事微纳器件辐射效应与加固技术方面的研究。Email:mateng15@mails.ucas.ac.cn

基金项目:

国家自然科学基金(11475255);国家自然科学基金青年科学基金(11505282);中国科学院西部之光项目(2015-XBQN-B-15,XBBS201321)

  • 中图分类号: TN386.5

摘要: 研究了射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted,PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。

English Abstract

参考文献 (11)

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