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单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片

丘文夫 林中晞 苏辉

丘文夫, 林中晞, 苏辉. 单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(12): 1220003-1220003(5). doi: 10.3788/IRLA201847.1220003
引用本文: 丘文夫, 林中晞, 苏辉. 单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(12): 1220003-1220003(5). doi: 10.3788/IRLA201847.1220003
Qiu Wenfu, Lin Zhongxi, Su Hui. Monolithically integrated low dark current 1.3 μm laser diode and detector chip[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(12): 1220003-1220003(5). doi: 10.3788/IRLA201847.1220003
Citation: Qiu Wenfu, Lin Zhongxi, Su Hui. Monolithically integrated low dark current 1.3 μm laser diode and detector chip[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(12): 1220003-1220003(5). doi: 10.3788/IRLA201847.1220003

单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片

doi: 10.3788/IRLA201847.1220003
基金项目: 

国家863计划(2013AA014202)

详细信息
    作者简介:

    丘文夫(1992-),硕士生,主要从事半导体光电子集成方面的研究。Email:qiuwenfu15@mails.ucas.ac.cn

  • 中图分类号: TN214

Monolithically integrated low dark current 1.3 μm laser diode and detector chip

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出版历程
  • 收稿日期:  2018-07-10
  • 修回日期:  2018-08-28
  • 刊出日期:  2018-12-25

单片集成的低暗电流1.3 μm激光二极管和探测器芯片

doi: 10.3788/IRLA201847.1220003
    作者简介:

    丘文夫(1992-),硕士生,主要从事半导体光电子集成方面的研究。Email:qiuwenfu15@mails.ucas.ac.cn

基金项目:

国家863计划(2013AA014202)

  • 中图分类号: TN214

摘要: 为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3m InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较低的阈值电流17.62 mA,较高的斜率效率0.13 mW/mA,输出功率可达11 mW;在-0.7 V的反向偏压下,探测器区域对光信号具有良好的线性响应,MPD的光电流超过0.3 mA,在-1.7 V的反向偏压下,暗电流可低至25 nA。

English Abstract

参考文献 (14)

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