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808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作

班雪峰 赵懿昊 王翠鸾 刘素平 马骁宇

班雪峰, 赵懿昊, 王翠鸾, 刘素平, 马骁宇. 808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(11): 1105003-1105003(6). doi: 10.3788/IRLA201948.1105003
引用本文: 班雪峰, 赵懿昊, 王翠鸾, 刘素平, 马骁宇. 808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(11): 1105003-1105003(6). doi: 10.3788/IRLA201948.1105003
Ban Xuefeng, Zhao Yihao, Wang Cuiluan, Liu Suping, Ma Xiaoyu. Design and preparation of grating for 808 nm semiconductor distributed feedback laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(11): 1105003-1105003(6). doi: 10.3788/IRLA201948.1105003
Citation: Ban Xuefeng, Zhao Yihao, Wang Cuiluan, Liu Suping, Ma Xiaoyu. Design and preparation of grating for 808 nm semiconductor distributed feedback laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(11): 1105003-1105003(6). doi: 10.3788/IRLA201948.1105003

808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作

doi: 10.3788/IRLA201948.1105003
基金项目: 

国防科技重点实验室基金项目(6142405041803)

详细信息
    作者简介:

    班雪峰(1993-),男,博士生,主要从事大功率半导体激光器方面的研究。Email:banxuefeng@semi.ac.cn

  • 中图分类号: TN248.4

Design and preparation of grating for 808 nm semiconductor distributed feedback laser

  • 摘要: 半导体分布反馈( DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图。通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数。扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47%,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀。创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础。
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-07-11
  • 修回日期:  2019-08-21
  • 刊出日期:  2019-11-25

808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作

doi: 10.3788/IRLA201948.1105003
    作者简介:

    班雪峰(1993-),男,博士生,主要从事大功率半导体激光器方面的研究。Email:banxuefeng@semi.ac.cn

基金项目:

国防科技重点实验室基金项目(6142405041803)

  • 中图分类号: TN248.4

摘要: 半导体分布反馈( DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图。通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数。扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47%,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀。创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础。

English Abstract

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