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极紫外光刻材料研究进展

耿永友,  邓常猛,  吴谊群

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耿永友, 邓常猛, 吴谊群. 极紫外光刻材料研究进展[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(6): 1850-1856.
引用本文: 耿永友, 邓常猛, 吴谊群. 极紫外光刻材料研究进展[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(6): 1850-1856.
shu
Geng Yongyou, Deng Changmeng, Wu Yiqun. Recent progress of extreme ultraviolet resists[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(6): 1850-1856.
Citation: Geng Yongyou, Deng Changmeng, Wu Yiqun. Recent progress of extreme ultraviolet resists[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(6): 1850-1856.
shu

极紫外光刻材料研究进展

  • 1.

    中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室,上海 201800

基金项目: 

上海光源中国科学院大科学装置开放研究项目（自组装技术与超高密度纳米阵列研究）

详细信息
    作者简介:

    耿永友（1968-），男，博士，副研究员，主要从事光刻材料与光刻工艺方面的研究工作。Email：yyoug@siom.ac.cn

  • 中图分类号: TN305.7

Recent progress of extreme ultraviolet resists

  • 1.

    Key Laboratory of Material Science and Technology for High Power Lasers,Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 201800,China

  • 摘要: 极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术，光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考，综述了最近几年来文献报道的研究成果，介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求，总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类，着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理，光刻性能所达到的水平和存在的主要问题，最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。
    Abstract: Extreme ultraviolet Lithography (EUVL) has been considered as the strong candidate for next generation commercial projection lithography to print sub -22 nm half-pitch (HP) features in microelectronics field. Performance and technology of resists is one of the key parts of EUVL. In order to improve the research work in China, recent progress of EUV resists reported in near years was reviewed. The history and current status of EUVL were introduced. EUVL' features and targets on resists were presented. EUV resist research portfolio and its classification were summarized. Composition, mechanism and performances for EUVL of representative resists were focused. Performance possibility and problems of the different resists were also analyzed;Routes in the future to improve EUVL performances for them were finally discussed.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-10-10
  • 修回日期:  2013-11-25
  • 刊出日期:  2014-06-25

极紫外光刻材料研究进展

  • 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室,上海 201800
    • 作者简介:

    耿永友（1968-），男，博士，副研究员，主要从事光刻材料与光刻工艺方面的研究工作。Email：yyoug@siom.ac.cn

  • 收稿日期: 2013-10-10
  • 修回日期: 2013-11-25
  • 刊出日期: 2014-06-25
基金项目:

上海光源中国科学院大科学装置开放研究项目（自组装技术与超高密度纳米阵列研究）

  • 中图分类号: TN305.7

摘要: 极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术，光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考，综述了最近几年来文献报道的研究成果，介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求，总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类，着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理，光刻性能所达到的水平和存在的主要问题，最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。

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