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InAs/GaSb 超晶格中波红外二极管的IV 特性研究

郭杰,  张小雷,  段剑金,  郝瑞亭,  许林

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郭杰, 张小雷, 段剑金, 郝瑞亭, 许林. InAs/GaSb 超晶格中波红外二极管的IV 特性研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2116-2119.
引用本文: 郭杰, 张小雷, 段剑金, 郝瑞亭, 许林. InAs/GaSb 超晶格中波红外二极管的IV 特性研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2116-2119.
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Guo Jie, Zhang Xiaolei, Duan Jianjin, Hao Ruiting, Xu Lin. Current-voltage characteristic of InAs/GaSb superlattice mid-infrared photodiodes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(7): 2116-2119.
Citation: Guo Jie, Zhang Xiaolei, Duan Jianjin, Hao Ruiting, Xu Lin. Current-voltage characteristic of InAs/GaSb superlattice mid-infrared photodiodes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(7): 2116-2119.
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InAs/GaSb 超晶格中波红外二极管的IV 特性研究

  • 1.

    云南师范大学物理与电子信息学院,云南昆明 650092;

  • 2.

    洛阳光电技术发展中心,河南洛阳 471009

基金项目: 

国家自然科学基金（61274137，61176127）;云南省自然科学基金（2011FZ078）

详细信息
    作者简介:

    郭杰（1979-），男，博士，主要从事红外探测器方面的研究。Email：jieggg1020@sina.com

  • 中图分类号: TN21

Current-voltage characteristic of InAs/GaSb superlattice mid-infrared photodiodes

  • 1.

    School of Physics and Electronic Information,Yunnan Normal University,Kunming 650092,China;

  • 2.

    Luoyang Opti-electronic Development Center,Luoyang 471009,China

  • 摘要: 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb 衬底上生长了pin 结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管。经过（NH4）2S 表面钝化后的IV 特性曲线表明：低的正偏压下，理想因子n 在 2 左右，势垒区的复合电流起主要作用；偏压超过0.14 V 时，n 在1 左右，少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的III 族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后，表面漏电大大减小，反偏漏电流密度降低三个数量级，零偏阻抗R0 达到106 欧姆，R0A 达到103 量级。
    Abstract: InAs(8ML)/GaSb(8ML) superlattice with p-i-n structure was grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy. IV characteristic under (NH4)2S passivation showed that the ideality factor was near 2 at lower forward bias where recombination current dominated and the factor was near 1 beyond 0.14 V where diffusion current dominated. A large number of combination centers appeared at the surface barrier region originated from the vacancy defects. Compared with (NH4)2S solution treatment, the surface leakage currents density after anode sulfide treatment decreased three orders of magnitude and the zero-bias resistance R0 was measured up to 106 ohms. The figure of merit R0A was up to 103cm-2.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-04
  • 修回日期:  2013-12-13
  • 刊出日期:  2014-07-25

InAs/GaSb 超晶格中波红外二极管的IV 特性研究

  • 1. 云南师范大学物理与电子信息学院,云南昆明 650092;
  • 2. 洛阳光电技术发展中心,河南洛阳 471009
    • 作者简介:

    郭杰（1979-），男，博士，主要从事红外探测器方面的研究。Email：jieggg1020@sina.com

  • 收稿日期: 2013-11-04
  • 修回日期: 2013-12-13
  • 刊出日期: 2014-07-25
基金项目:

国家自然科学基金（61274137，61176127）;云南省自然科学基金（2011FZ078）

  • 中图分类号: TN21

摘要: 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb 衬底上生长了pin 结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管。经过（NH4）2S 表面钝化后的IV 特性曲线表明：低的正偏压下，理想因子n 在 2 左右，势垒区的复合电流起主要作用；偏压超过0.14 V 时，n 在1 左右，少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的III 族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后，表面漏电大大减小，反偏漏电流密度降低三个数量级，零偏阻抗R0 达到106 欧姆，R0A 达到103 量级。

English Abstract

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