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离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法

刘华松 傅翾 季一勤 张锋 陈德应 姜玉刚 刘丹丹 王利栓 冷健 庄克文

刘华松, 傅翾, 季一勤, 张锋, 陈德应, 姜玉刚, 刘丹丹, 王利栓, 冷健, 庄克文. 离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2192-2197.
引用本文: 刘华松, 傅翾, 季一勤, 张锋, 陈德应, 姜玉刚, 刘丹丹, 王利栓, 冷健, 庄克文. 离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2192-2197.
Liu Huasong, Fu Xuan, Ji Yiqin, Zhang Feng, Cheng Deying, Jiang Yugang, Liu Dandan, Wang Lishuan, Leng Jian, Zhuang Kewen. Adjusting methods of deposition rates of oxide films prepared by IBS technology[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(7): 2192-2197.
Citation: Liu Huasong, Fu Xuan, Ji Yiqin, Zhang Feng, Cheng Deying, Jiang Yugang, Liu Dandan, Wang Lishuan, Leng Jian, Zhuang Kewen. Adjusting methods of deposition rates of oxide films prepared by IBS technology[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(7): 2192-2197.

离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法

基金项目: 

国家自然科学重点基金(61235011);国家重大科学仪器与设备专项(2012YQ040164); 天津市自然科学基金(14JCQNJC02400,12JCQNIC01200,13JCYBJC17300)

详细信息
    作者简介:

    刘华松(1980-),男,研究员,博士,主要从事光学薄膜的设计、制备与测试技术研究。Email:liuhuasong@hotmail.com

  • 中图分类号: O484

Adjusting methods of deposition rates of oxide films prepared by IBS technology

  • 摘要: 采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9 组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜,并对三种薄膜的27 个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度,继而获得沉积速率。实验结果表明:对Ta2O5 和SiO2 薄膜沉积速率影响的工艺参数相同,影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度;对 HfO2 薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜沉积速率提供了依据。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-11-17
  • 修回日期:  2013-12-20
  • 刊出日期:  2014-07-25

离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法

    作者简介:

    刘华松(1980-),男,研究员,博士,主要从事光学薄膜的设计、制备与测试技术研究。Email:liuhuasong@hotmail.com

基金项目:

国家自然科学重点基金(61235011);国家重大科学仪器与设备专项(2012YQ040164); 天津市自然科学基金(14JCQNJC02400,12JCQNIC01200,13JCYBJC17300)

  • 中图分类号: O484

摘要: 采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9 组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜,并对三种薄膜的27 个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度,继而获得沉积速率。实验结果表明:对Ta2O5 和SiO2 薄膜沉积速率影响的工艺参数相同,影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度;对 HfO2 薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5 和SiO2 薄膜沉积速率提供了依据。

English Abstract

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