金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

王仍; 焦翠灵; 徐国庆; 陆液; 张可峰; 杜云辰; 李向阳; 张莉萍; 邵秀华; 林杏潮

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金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

王仍, 焦翠灵, 徐国庆, 陆液, 张可峰, 杜云辰, 李向阳, 张莉萍, 邵秀华, 林杏潮

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王仍, 焦翠灵, 徐国庆, 陆液, 张可峰, 杜云辰, 李向阳, 张莉萍, 邵秀华, 林杏潮. 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(9): 3046-3050.

引用本文:

Wang Reng, Jiao Cuiling, Xu Guoqing, Lu Ye, Zhang Kefeng, Du Yunchen, Li Xiangyang, Zhang Liping, Shao Xiuhua, Lin Xingchao. Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(9): 3046-3050.

Citation:

Wang Reng, Jiao Cuiling, Xu Guoqing, Lu Ye, Zhang Kefeng, Du Yunchen, Li Xiangyang, Zhang Liping, Shao Xiuhua, Lin Xingchao. Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg_1-xCd_xTe epitaxial crystals[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(9): 3046-3050.

金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

1.
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

基金项目:

国家自然科学基金（11304335）;中国科学院三期创新项目（Q-ZY-87/Q-ZY-88）

详细信息

作者简介:
王仍（1980- ），女，副研究员，博士，主要从事II-VI 族半导体材料生长方面的研究。Email：rwang@mail.sitp.ac.cn

中图分类号: O787⁺.7

Growth and Raman spectrum of Au-doped Hg_1-xCd_xTe epitaxial crystals

1.
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China

摘要: 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料，通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数，利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺，利用金掺杂材料初步研制了短波器件，器件性能较好黑体DP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
- 气相外延 /
- Hg1-xCdxTe 晶体 /
- 拉曼光谱
Abstract: Au -doped Hg1-xCdxTe crystals were grown by vapor phase epitaxial method. The optical properties of Hg1-xCdxTe crystals were investigated by using Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectroscopy. Moreover, the surface of Hg1-xCdxTe epitaxial materials were observed by metallographic microscopy. Based on traditional photovoltaic technique, the shot-wavelength detectors were made by Au-doped Hg1-xCdxTe film materials. Performances of the detectors were favorable. The background-limited detective was 4.67E+11/(cmHz1/2W-1).
- vapor phase epitaxial /
- Hg1-xCdxTe crystal /
- Raman spectrum

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金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究

1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

作者简介:
王仍（1980- ），女，副研究员，博士，主要从事II-VI 族半导体材料生长方面的研究。Email：rwang@mail.sitp.ac.cn

收稿日期: 2014-01-15
修回日期: 2014-02-14
刊出日期: 2014-09-25

基金项目:

国家自然科学基金（11304335）;中国科学院三期创新项目（Q-ZY-87/Q-ZY-88）

中图分类号: O787⁺.7

关键词:

摘要: 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料，通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数，利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺，利用金掺杂材料初步研制了短波器件，器件性能较好黑体DP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。