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GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

胡小英 刘卫国 段存丽 蔡长龙 关晓

胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 关晓. GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(8): 2305-2308.
引用本文: 胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 关晓. GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(8): 2305-2308.
Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Guan Xiao. Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(8): 2305-2308.
Citation: Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, Cai Changlong, Guan Xiao. Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(8): 2305-2308.

GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

基金项目: 

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西北工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

详细信息
    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,博士,主要从事红外微光电子技术研究。Email:490027874@qq.com

  • 中图分类号: TN215

Spectroscopic characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetectors

  • 摘要: 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 m300 m台面,内电极压焊点面积为20 m20 m,外电极压焊点面积为80 m80 m单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 m,8.32 m,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5 m间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。
  • [1]
    [2] Lu Wei, Li Ning, Zhen Honglou, et al. A new group of infrared opto-electronicsquantum well infrared photodetectors[J]. Science in China(Series G: Physics, Mechanics Astronomy, 2009, 39(3): 336-343. (in Chinese)陆卫, 李宁, 甄红楼, 等. 红外光电子学中的新族-量子阱红外探测器[J]. 中国科学(物理学力学天文学), 2009, 39(3): 336-343.
    [3] Hu Xiaoying, Liu Weiguo. Microstucture studies of GaAs/AlxGa1-xAsquantum well infrared photodetector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013. 25(6): 1405-1408. (in Chinese)胡小英, 刘卫国. GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器微结构研究[J]. 强激光与离子束, 2013, 25(6): 1405-1408.
    [4]
    [5]
    [6] Mehjabeen A Khan, Akeed A Pavel, Naz Islam. Intersubband transition in asymmetric quantum well infrared photodetector[J]. IEEE Transactions on Nana Technology, 2013, 12(4): 521-523.
    [7] Kwong-Kit Choi, Murzy D Jhabvala, David P Forrai, et al. Electromagnetic modeling and design of quantum wellinfrared photodetectors[J]. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2013, 19(5): 3800310.
    [8]
    [9]
    [10] Ribet-Mohamed I, Le Rouzo J, Rommeluere S, et al. Advanced characterization of the radiometric performances of quantum well infrared photodetectors[J]. Infrared Physics Technology, 2005, 47: 119-131.
    [11] Hu Xiaoying, Liu Weiguo, Duan Cunli, et al. Research on dark current of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum well infrared photodetector by HRTEM[J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(4): 3057-3060. (in Chinese)胡小英, 刘卫国, 段存丽, 等. GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP暗电流特性HRTEM研究[J]. 红外与激光工程, 2014, 43(4): 3057-3060.
    [12]
    [13] Zhang Chi, Chang Huiting, Zhao Fangyuan, et al. Design principle of Au grating couplers for quantum-well infrared photodetectors[J]. Optics Express, 2013, 38(20): 4037-4039.
    [14]
    [15] Kwong-Kit Choi, Murzy D Jhabvala, et al. Electromagnetic modeling of quantum well infrared photodetectors[J]. IEEE Journal of Quantum Electronics, 2012, 48(3): 384-393.
    [16]
    [17] Li N, Xiong D Y, Yang X F, et al. Dark currents of GaAs/AlGaAs quantum-well infrared photodetectors[J]. Appl Phys A, 2007, 89: 701-705.
    [18]
    [19] Jin Jupeng, Liu Dan, Wang Jianxin, et al. 320256 GaAs/AlGaAs long-wavelength quantum well infrared photodetectorfocal plane array[J]. Infrared and Laser Engineering, 2012, 41(4): 833-837. (in Chinese)金巨鹏, 刘丹, 王建新, 等. 320256 GaAs/AlGaAs长波红外量子阱焦平面探测器[J]. 红外与激光工程, 2012, 41(4): 833-837.
  • [1] 廖清君, 胡晓宁, 黄爱波, 陈洪雷, 叶振华, 丁瑞军.  拼接型短波红外探测器的光谱响应特性 . 红外与激光工程, 2023, 52(9): 20220890-1-20220890-8. doi: 10.3788/IRLA20220890
    [2] 付林, 李业秋, 甄佳, 程德华, 李倩, 岱钦, 乌日娜.  低气压下激光诱导击穿有机爆炸物的光谱特性 . 红外与激光工程, 2022, 51(8): 20210720-1-20210720-6. doi: 10.3788/IRLA20210720
    [3] 吴绍华, 黄攀, 赵劲松, 赵跃进, 郑丽和, 董汝昆.  三温区梯度化学气相沉积ZnS制备 . 红外与激光工程, 2021, 50(10): 20210004-1-20210004-6. doi: 10.3788/IRLA20210004
    [4] 岳琛, 杨浩军, 吴海燕, 李阳锋, 孙令, 邓震, 杜春花, 江洋, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘.  量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211007-1-20211007-6. doi: 10.3788/IRLA20211007
    [5] 吴峰, 戴江南, 陈长清, 许金通, 胡伟达.  GaN基多量子阱红外探测器研究进展(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211020-1-20211020-15. doi: 10.3788/IRLA20211020
    [6] 李志锋, 李倩, 景友亮, 周玉伟, 周靖, 陈平平, 周孝好, 李宁, 陈效双, 陆卫.  等离激元微腔耦合长波红外量子阱高消光比偏振探测器(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211006-1-20211006-10. doi: 10.3788/IRLA20211006
    [7] 刘畅, 王健, 左璇, 熊大元.  局域光场增强的量子阱红外探测器(特邀) . 红外与激光工程, 2021, 50(1): 20211009-1-20211009-12. doi: 10.3788/IRLA20211009
    [8] 周凯, 李道京, 王烨菲, 姚园, 乔明.  衍射光学系统红外光谱目标探测性能 . 红外与激光工程, 2021, 50(8): 20200371-1-20200371-8. doi: 10.3788/IRLA20200371
    [9] 李向阳, 李宁, 许金通, 储开慧, 徐国庆, 王玲, 张燕, 朱龙源, 王继强, 陆卫.  GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55 μm红外焦平面探测器 . 红外与激光工程, 2020, 49(1): 0103008-0103008(6). doi: 10.3788/IRLA202049.0103008
    [10] 邓洪海, 杨波, 邵海宝, 王志亮, 黄静, 李雪, 龚海梅.  正照射延伸波长In0.8Ga0.2As红外焦平面探测器 . 红外与激光工程, 2018, 47(5): 504004-0504004(5). doi: 10.3788/IRLA201847.0504004
    [11] 周旭昌, 李东升, 木迎春, 铁筱滢, 王晓娟, 陈卫业.  640×512偏振长波量子阱红外焦平面探测器研制 . 红外与激光工程, 2017, 46(1): 104004-0104004(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0104004
    [12] 柯常军, 孔心怡, 王然, 李志永.  中红外Fe:ZnSe激光技术最新研究进展 . 红外与激光工程, 2016, 45(3): 305002-0305002(7). doi: 10.3788/IRLA201645.0305002
    [13] 史衍丽, 郭骞, 李龙, 邓功荣, 杨绍培, 范明国, 刘文波.  可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器 . 红外与激光工程, 2015, 44(11): 3177-3180.
    [14] 张丽, 杨丹, 王好伟, 王依山, 杨盛谊.  溶液法制备全有机P3HT光电探测器 . 红外与激光工程, 2015, 44(10): 2975-2980.
    [15] 陈一超, 胡文刚, 武东生, 何永强, 李晓明.  三波段真彩色夜视光谱匹配技术 . 红外与激光工程, 2015, 44(12): 3837-3842.
    [16] 胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 牛小玲.  势垒高度对GaAs/AlxGa1-xAs QWIP光谱特性的影响 . 红外与激光工程, 2015, 44(10): 2995-2999.
    [17] 王玲玲, 郭艳艳, 谭芳, 卢敬娟, 韩科选, 于凤霞.  掺镱光子晶体光纤纤芯材料制备及光纤数值模拟 . 红外与激光工程, 2014, 43(11): 3718-3723.
    [18] 周州, 耿红艳, 刘杰涛, 许斌宗, 胡海峰, 宋国峰, 徐云.  量子阱红外探测器双面金属光栅设计优化 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1375-1379.
    [19] 胡小英, 刘卫国, 段存丽, 蔡长龙, 韩军, 刘钧.  GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP 暗电流特性HRTEM 研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(9): 3057-3060.
    [20] 金巨鹏, 刘丹, 王建新, 吴云, 曹菊英, 曹妩媚, 林春.  320×256 GaAs/AlGaAs长波红外量子阱焦平面探测器 . 红外与激光工程, 2012, 41(4): 833-837.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-12-05
  • 修回日期:  2015-01-10
  • 刊出日期:  2015-08-25

GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器光谱特性研究

    作者简介:

    胡小英(1978-),女,副教授,博士,主要从事红外微光电子技术研究。Email:490027874@qq.com

基金项目:

兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西北工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01)

  • 中图分类号: TN215

摘要: 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 m300 m台面,内电极压焊点面积为20 m20 m,外电极压焊点面积为80 m80 m单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 m,8.32 m,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5 m间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。

English Abstract

参考文献 (19)

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