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利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

房丹,  唐吉龙,  魏志鹏,  赵海峰,  方铉,  田珊珊,  楚学影,  王晓华

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房丹, 唐吉龙, 魏志鹏, 赵海峰, 方铉, 田珊珊, 楚学影, 王晓华. 利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3386-3389.
引用本文: 房丹, 唐吉龙, 魏志鹏, 赵海峰, 方铉, 田珊珊, 楚学影, 王晓华. 利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3386-3389.
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Fang Dan, Tang Jilong, Wei Zhipeng, Zhao Haifeng, Fang Xuan, Tian Shanshan, Chu Xueying, Wang Xioahua. Effect of Al2O3 on the optical stability of InP induced by atom layer deposition[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(12): 3386-3389.
Citation: Fang Dan, Tang Jilong, Wei Zhipeng, Zhao Haifeng, Fang Xuan, Tian Shanshan, Chu Xueying, Wang Xioahua. Effect of Al2O3 on the optical stability of InP induced by atom layer deposition[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(12): 3386-3389.
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利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

  • 1.

    长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022;

  • 2.

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130022

基金项目: 

国家自然科学基金（61307045）

详细信息
    作者简介:

    房丹（1982-），女，博士生，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：fangdan19822011@163.com；唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com

    房丹（1982-），女，博士生，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：fangdan19822011@163.com；唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com

    通讯作者: 唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com

  • 中图分类号: TN304.2

Effect of Al2O3 on the optical stability of InP induced by atom layer deposition

  • 1.

    National Key Laboratary on High Semiconducter Laser,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;

  • 2.

    Changchun Institute of Optics Fine Mechanies and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun,130033,China

  • 摘要: 提出一种钝化InP表面的新方法湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度，并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光（PL）谱，对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明，通过对样品进行退火处理，可增强In-S键结合强度，进一步降低表面态密度。最后，利用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征。
    Abstract: A novel surface passivation of InP, combined wet passivation to dry passivation was proposed. In this work, the density of surface state was decreased efficiently so the strong luminescence property was obtained. The stability of InP surface was confirmed, which was exposed in air some day. Photoluminescence (PL) was performed in room temperature to achieve intensity measures. The high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for InP revealed that a In-S bonding was increased with the annealing treatment. The density of surface was decreased further. The surface morphology of the sample was reflected with atomic force microscopy (AFM).
  • [1] Wang Bo, Wei Zhipeng, Li Mei, et al. Improved photoluminescence from passivated InP surface by (NH4)2S treatment[C]//Optoelectronics and Microelectronics Technology (AISOMT), 2011 Academic International Symposium, 2011.
    [2]
    [3] Zhao H, Shahrjerdi D, Zhu F, et al. Inversion-type InP MOSFETs with EOT of 21 using atomic layer deposited Al2O3 gate dielectric electrochem[J]. Solid-State Lett, 2008, 1: H233.
    [4]
    [5]
    [6] Wilmsen C W, Geib K M, Shin J, et al. The sulfurized InP surface[J]. J Vac Sci Technol B, 1989, 7: 4.
    [7]
    [8] Sandroff C J, Nottenburg R N, Bischoff J C, et al. Dramatic enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation[J]. Appl Phys Lett, 1987, 51: 33-35.
    [9] Han I K, Kim E K, Lee J I, et al. Stability of sulfur-treated InP surface studied by photoluminescence and X-ray photoelectron spectroscopy[J]. Appl Phys, 1997, 10: 8.
    [10]
    [11]
    [12] Wang Bo, Wei Zhipeng, Li Mei, et al. Tailoring the photoluminescence characteristics of p-type GaSb: The role of surface chemical passivation [J]. Chemical Physics Letters, 2013, 556: 182-187.
    [13]
    [14] Dong Y, Ding X M, Hou X Y, et al. Sulfur passivation of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor [J]. Appl Phys Lett, 2000, 77: 23.
    [15] Chen Weide, Choy W H, So B Kl, et al. XPS and AFM studies of the InP surfaces passivated with Gas-phase and solution-phase polysulphide[J]. Vacuum Science and Technology, 1999, 19(3): 177-181. (in Chinese) 陈维德, 蔡永康, 苏景隆, 等. 气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究[J]. 真空科学与技术学报, 1999, 19(3): 177-181.
    [16]
    [17] Dong Y, Ding X M, Hou X Y, et al. Sulfur passivation of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor[J]. Appl Phys Lett, 2000, 77: 3.
    [18]
    [19] Kim T S, Lester S D, Streetman B G. Observation of radiative surface states on InP [J]. Appl Phys, 1987, 61: 2072.
    [20]
    [21] Yuan Z L, Ding X M, Lai B, et al. Neutralized (NH4)2S solution passivation of IIIV phosphide surfaces[J]. Appl Phys Lett, 1998, 73: 2977-2979.
    [22]
    [23]
    [24] Daw M S, Smith D L. Vacancies near semiconductor surfaces[J]. Phys Rev B, 1979, 20: 5150.
    [25]
    [26] Han I K, Kim E K, Lee J I, et al. Stability of sulfur-treated InP surface studied by photoluminescence and x-ray photoelectron spectroscopy[J]. Appl Phys, 1997, 80: 10.
    [27] Sato K, Ikoma H. Internal photoemission and X-ray photoelectron spectroscopic studies of sulfur-passivated GaAs[J]. Jpn J Appl Phys, 1993, 32: 921.
  • [1] 刘宁, 周谷禹, 杨夕, 徐纪鹏, 洪琦琳, 黄先燕, 张检发, 刘肯, 朱志宏.  Si3N4/WS2/Al2O3三明治型纳米激光器结构参数优化 . 红外与激光工程, 2023, 52(6): 20230196-1-20230196-7. doi: 10.3788/IRLA20230196
    [2] 楼森豪, 黄运米, 王俊, 段延敏, 唐定远, 朱海永.  Nd:Y2O3透明陶瓷4F3/2-4I11/2跃迁光谱及高效激光输出 . 红外与激光工程, 2022, 51(6): 20210601-1-20210601-5. doi: 10.3788/IRLA20210601
    [3] 陈加伟, 李豫东, 玛丽娅, 李钰, 郭旗.  850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应 . 红外与激光工程, 2022, 51(5): 20210326-1-20210326-6. doi: 10.3788/IRLA20210326
    [4] 李世杰, 徐超, 黄岳田, 王守义, 刘卫国.  车削加工硫化锌晶体工艺 . 红外与激光工程, 2020, 49(7): 20190567-1-20190567-8. doi: 10.3788/IRLA20190567
    [5] 李钱陶, 李定, 王潺, 熊长新, 杨长城.  Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境稳定性研究 . 红外与激光工程, 2020, 49(S1): 20200064-20200064. doi: 10.3788/IRLA20200064
    [6] 周振辉, 徐向晏, 刘虎林, 李岩, 卢裕, 钱森, 韦永林, 何凯, 赛小锋, 田进寿, 陈萍.  高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟 . 红外与激光工程, 2019, 48(2): 221002-0221002(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0221002
    [7] 李金伦, 崔少辉, 张静, 张振伟, 张博文, 倪海桥, 牛智川.  蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 . 红外与激光工程, 2019, 48(9): 919001-0919001(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0919001
    [8] 冷健, 季一勤, 刘华松, 庄克文, 刘丹丹.  热处理对双离子束溅射SiO2薄膜力学及热力学特性的影响 . 红外与激光工程, 2018, 47(6): 621002-0621002(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0621002
    [9] 袁伟, 邢昕, 韩冬佳, 李泽汉, 薛冰, 小林孝嘉, 杜鹃, 赵元安, 冷雨欣, 邵建达.  高反Al2O3/SiO2膜内超快激光预损伤动力学过程 . 红外与激光工程, 2016, 45(12): 1206013-1206013(5). doi: 10.3788/IRLA201645.1206013
    [10] 史衍丽, 郭骞, 李龙, 邓功荣, 杨绍培, 范明国, 刘文波.  可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器 . 红外与激光工程, 2015, 44(11): 3177-3180.
    [11] 许兆美, 汪通悦, 裴旭, 蒋素琴, 李伯奎, 王庆安, 洪宗海.  Al2O3陶瓷激光多道铣削温度场有限元模拟 . 红外与激光工程, 2015, 44(2): 477-481.
    [12] 张连东, 冯刘, 刘晖, 程宏昌, 高翔, 张晓辉.  高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响 . 红外与激光工程, 2014, 43(4): 1226-1229.
    [13] 赵芬, 冯文林, 杨晓占, 李铁, 刘相志.  蓝色荧光材料ZnMoO4：Ce4+的制备及光致发光研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1627-1629.
    [14] 陈春映, 袁根福, 王金华.  低压水射流激光复合切割Al2O3 陶瓷的研究 . 红外与激光工程, 2014, 43(7): 2097-2102.
    [15] 陈向前, 彭滟, 方丹, 周云燕, 刘姝祺, 蔡斌, 朱亦鸣.  真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性 . 红外与激光工程, 2014, 43(2): 398-403.
    [16] 孙巧霞, 徐向晏, 安迎波, 曹希斌, 刘虎林, 田进寿, 董改云, 郭晖, 李燕红.  InP/InGaAs/InP红外光电阴极时间响应特性的模拟研究 . 红外与激光工程, 2013, 42(12): 3163-3167.
    [17] 李开祥, 张晓松, 徐建萍, 牛喜平, 罗程远, 李波, 李岚.  前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比对PbS纳米晶红外发光光谱的影响 . 红外与激光工程, 2013, 42(2): 438-442.
    [18] 许兆美, 周建忠, 黄舒, 孙全平.  人工神经网络在Al2O3陶瓷激光铣削中的应用研究 . 红外与激光工程, 2013, 42(11): 2957-2961.
    [19] 白阳, 贾锐, 刘新宇, 武德起, 金智.  耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究 . 红外与激光工程, 2013, 42(5): 1265-1268.
    [20] 刘永华, 祖成奎, 赵慧峰, 韩滨, 陈江.  CaO-BaO-Al2O3红外玻璃的形成及制备 . 红外与激光工程, 2012, 41(7): 1689-1694.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-07
  • 修回日期:  2013-04-13
  • 刊出日期:  2013-12-25

利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

  • 1. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022;
  • 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130022
    • 作者简介:

    房丹（1982-），女，博士生，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：fangdan19822011@163.com；唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com

    房丹（1982-），女，博士生，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：fangdan19822011@163.com；唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com

    通讯作者: 唐吉龙（1977-），男，讲师，主要从事半导体光电子材料与器件方面的研究。Email：happytang@163.com
  • 收稿日期: 2013-03-07
  • 修回日期: 2013-04-13
  • 刊出日期: 2013-12-25
基金项目:

国家自然科学基金（61307045）

  • 中图分类号: TN304.2

摘要: 提出一种钝化InP表面的新方法湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度，并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光（PL）谱，对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明，通过对样品进行退火处理，可增强In-S键结合强度，进一步降低表面态密度。最后，利用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征。

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