基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性

邱伟成; 王睿; 许中杰; 程湘爱

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基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性

邱伟成, 王睿, 许中杰, 程湘爱

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邱伟成, 王睿, 许中杰, 程湘爱. 基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(6): 1394-1398.

引用本文:

邱伟成, 王睿, 许中杰, 程湘爱. 基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性[J]. 红外与激光工程, 2013, 42(6): 1394-1398.

Qiu Weicheng, Wang Rui, Xu Zhongjie, Cheng Xiang'ai. Study on the light response characteristics of PV HgCdTe linear array detector with CTIA circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(6): 1394-1398.

Citation:

Qiu Weicheng, Wang Rui, Xu Zhongjie, Cheng Xiang'ai. Study on the light response characteristics of PV HgCdTe linear array detector with CTIA circuit[J]. Infrared and Laser Engineering, 2013, 42(6): 1394-1398.

基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性

1.
国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南长沙410073

基金项目:

湖南省研究生科研创新项目（B110705）

详细信息

作者简介:
邱伟成（1988- ），男，硕士生，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：2008qiuweicheng@sina.com；王睿（1976- ），女，副教授，硕士生导师，博士，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：XI_G_Z@126.com

邱伟成（1988- ），男，硕士生，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：2008qiuweicheng@sina.com；王睿（1976- ），女，副教授，硕士生导师，博士，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：XI_G_Z@126.com

中图分类号: TN248

Study on the light response characteristics of PV HgCdTe linear array detector with CTIA circuit

1.
College of Opt-electrical Science and Engineering,National University of Defensive Technology,Changsha 410073,China

摘要: 使用超连续谱激光辐照PV 型线阵HgCdTe 探测器，探测到了线阵器件输出信号随光照强度变化的全过程，发现了被辐照单元过饱和降压、低压稳定输出的反常响应规律；同时，未被辐照单元也存在响应。在总结实验响应规律的基础上，给出了各不同响应阶段功率阈值范围，并分别对辐照单元出现的过饱和降压、低压稳定输出等异常现象及未被辐照单元存在的整体降压反常响应现象进行了深入研究。研究认为采用CDS 相关双采样电路使器件的基底信号在强光下存在光响应是造成辐照单元异常响应的主要原因；而器件内部公共P 级结构、电路共用Vref 电压结构是导致未被辐照单元反常响应输出的主要因素。
- 辐照效应 /
- 阵列探测器 /
- 激光 /
- HgCdTe
Abstract: PV HgCdTe linear array detector was irradiated by supercontinuum laser light of various intensities. A series of photoresponsive output of HgCdTe detector under various laser intensities were shown. Some new phenomena of irradiated cell, supersaturation, low-voltage output were observed. The results were quite different from normal linear and saturated response. Besides, the nonirradiated units' output signal had responded. The range of threshold of various stages were given, on the basis of summarizing the responsive properties of HgCdTe detector. With further investigation, it is demonstrated that the paradoxical responded phenomenon of irradiated cell is primarily caused by the light response of the basal signal of the device's CDS circuit in bright light and the phenomenon of nonirradiated cell is primarily caused by the public P pole structure of linear array detector and the public Vref voltage structure of circuit.
- irradiating effect /
- linear array detector /
- laser /
- HgCdTe

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基于CTIA的PV-HgCdTe线阵近红外激光响应特性

1. 国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南长沙410073

作者简介:
邱伟成（1988- ），男，硕士生，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：2008qiuweicheng@sina.com；王睿（1976- ），女，副教授，硕士生导师，博士，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：XI_G_Z@126.com

邱伟成（1988- ），男，硕士生，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：2008qiuweicheng@sina.com；王睿（1976- ），女，副教授，硕士生导师，博士，主要从事激光与物质相互作用方面的研究。Email：XI_G_Z@126.com

收稿日期: 2012-10-12
修回日期: 2012-11-24
刊出日期: 2013-06-25

基金项目:

湖南省研究生科研创新项目（B110705）

中图分类号: TN248

关键词:

摘要: 使用超连续谱激光辐照PV 型线阵HgCdTe 探测器，探测到了线阵器件输出信号随光照强度变化的全过程，发现了被辐照单元过饱和降压、低压稳定输出的反常响应规律；同时，未被辐照单元也存在响应。在总结实验响应规律的基础上，给出了各不同响应阶段功率阈值范围，并分别对辐照单元出现的过饱和降压、低压稳定输出等异常现象及未被辐照单元存在的整体降压反常响应现象进行了深入研究。研究认为采用CDS 相关双采样电路使器件的基底信号在强光下存在光响应是造成辐照单元异常响应的主要原因；而器件内部公共P 级结构、电路共用Vref 电压结构是导致未被辐照单元反常响应输出的主要因素。