化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

乔辉; 陈心恬; 赵水平; 兰添翼; 王妮丽; 朱龙源; 李向阳

doi:10.3788/IRLA201645.1204001

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化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

乔辉, 陈心恬, 赵水平, 兰添翼, 王妮丽, 朱龙源, 李向阳

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乔辉, 陈心恬, 赵水平, 兰添翼, 王妮丽, 朱龙源, 李向阳. 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(12): 1204001-1204001(5). doi: 10.3788/IRLA201645.1204001

引用本文:

Qiao Hui, Chen Xintian, Zhao Shuiping, Lan Tianyi, Wang Nili, Zhu Longyuan, Li Xiangyang. Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(12): 1204001-1204001(5). doi: 10.3788/IRLA201645.1204001

Citation:

Qiao Hui, Chen Xintian, Zhao Shuiping, Lan Tianyi, Wang Nili, Zhu Longyuan, Li Xiangyang. Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(12): 1204001-1204001(5). doi: 10.3788/IRLA201645.1204001

化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

doi: 10.3788/IRLA201645.1204001

1.
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;
2.
中国科学院大学,北京 100049;
3.
山东大学信息科学与工程学院,山东济南 250100

基金项目:

国家自然科学基金（11304335）

详细信息

作者简介:
乔辉(1979-),男,副研究员,主要从事碲镉汞红外器件物理与工艺方面的研究。Email:qiaohui@mail.sitp.ac.cn

中图分类号: TN21

Study of the sub-surface damage of HgCdTe induced by chemical-mechanical polishing method

1.
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;
2.
University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;
3.
School of Information Science and Engineering,Shandong University,Ji'nan 250100,China

摘要: 针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征，认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试，认为将该亚表面损伤层完全去除后，材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。
- 化学机械抛光 /
- 亚表面损伤 /
- 椭圆偏振 /
- 少子寿命 /
- 碲镉汞
Abstract: Study of the sub-surface damage induced by chemical-mechanical polishing method has been carried out for HgCdTe material. The optical characterization was performed for the surface after repeated step removal by wet etching using spectroscopic ellipsometry. It was found that the depth of sub-surface damage layer was about 15-20 times of the diameter of the abrasive particles. Through the comparison of the minority carrier lifetime and performance of the ultimate photoconductive detectors, it was considered that an obvious improvement could be achieved by a complete removal of this sub-surface damage layer.
- chemical-mechanical polishing /
- sub-surface damage /
- spectroscopic ellipsometry /
- minority carrier lifetime /
- HgCdTe

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化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

doi: 10.3788/IRLA201645.1204001

1. 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;

2. 中国科学院大学,北京 100049;

3. 山东大学信息科学与工程学院,山东济南 250100

作者简介:
乔辉(1979-),男,副研究员,主要从事碲镉汞红外器件物理与工艺方面的研究。Email:qiaohui@mail.sitp.ac.cn

收稿日期: 2016-04-17
修回日期: 2016-05-20
刊出日期: 2016-12-25

基金项目:

国家自然科学基金（11304335）

中图分类号: TN21

关键词:

摘要: 针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征，认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试，认为将该亚表面损伤层完全去除后，材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。