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不同工艺制备的人工节瘤的损伤生长特性

马宏平 程鑫彬 张锦龙 王占山 唐永建

马宏平, 程鑫彬, 张锦龙, 王占山, 唐永建. 不同工艺制备的人工节瘤的损伤生长特性[J]. 红外与激光工程, 2017, 46(5): 521001-0521001(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0521001
引用本文: 马宏平, 程鑫彬, 张锦龙, 王占山, 唐永建. 不同工艺制备的人工节瘤的损伤生长特性[J]. 红外与激光工程, 2017, 46(5): 521001-0521001(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0521001
Ma Hongping, Cheng Xinbin, Zhang Jinlong, Wang Zhanshan, Tang Yongjian. Damage growth characteristics of artificial nodules prepared by different processes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2017, 46(5): 521001-0521001(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0521001
Citation: Ma Hongping, Cheng Xinbin, Zhang Jinlong, Wang Zhanshan, Tang Yongjian. Damage growth characteristics of artificial nodules prepared by different processes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2017, 46(5): 521001-0521001(6). doi: 10.3788/IRLA201746.0521001

不同工艺制备的人工节瘤的损伤生长特性

doi: 10.3788/IRLA201746.0521001
基金项目: 

国家自然科学基金(61522506,61235011,51475335)

详细信息
    作者简介:

    马宏平(1988-)男,博士生,主要从事光学元件激光损伤机理方面的研究。Email:ma_hongping@163.com

  • 中图分类号: O484

Damage growth characteristics of artificial nodules prepared by different processes

  • 摘要: 在高能激光系统中,反射膜的损伤生长特性和初始损伤一样重要。对薄膜损伤生长特性的研究将有助于探究反射膜损伤机制,从而进一步有效地提高其抗激光损伤能力。使用电子束蒸发(EB)和离子束辅助(IAD)两种工艺制备了1064nm波长下的HfO2/SiO2反射膜,利用四种尺寸的单分散的SiO2小球形成人工节瘤,来研究薄膜镀制工艺和节瘤尺寸对节瘤损伤生长特性的影响。激光损伤测试结果表明:节瘤损伤生长阈值基本随节瘤尺寸的增加而减小。EB工艺制备的反射膜中,四种尺寸节瘤的损伤生长阈值都高于其初始损伤阈值,而IAD工艺制备的反射膜中结果则相反。另外,IAD工艺要比EB工艺制备的反射膜中的节瘤在发生初始损伤后更易于损伤生长,说明薄膜镀制工艺对节瘤的损伤生长速度有一定的影响。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-09-10
  • 修回日期:  2016-10-20
  • 刊出日期:  2017-05-25

不同工艺制备的人工节瘤的损伤生长特性

doi: 10.3788/IRLA201746.0521001
    作者简介:

    马宏平(1988-)男,博士生,主要从事光学元件激光损伤机理方面的研究。Email:ma_hongping@163.com

基金项目:

国家自然科学基金(61522506,61235011,51475335)

  • 中图分类号: O484

摘要: 在高能激光系统中,反射膜的损伤生长特性和初始损伤一样重要。对薄膜损伤生长特性的研究将有助于探究反射膜损伤机制,从而进一步有效地提高其抗激光损伤能力。使用电子束蒸发(EB)和离子束辅助(IAD)两种工艺制备了1064nm波长下的HfO2/SiO2反射膜,利用四种尺寸的单分散的SiO2小球形成人工节瘤,来研究薄膜镀制工艺和节瘤尺寸对节瘤损伤生长特性的影响。激光损伤测试结果表明:节瘤损伤生长阈值基本随节瘤尺寸的增加而减小。EB工艺制备的反射膜中,四种尺寸节瘤的损伤生长阈值都高于其初始损伤阈值,而IAD工艺制备的反射膜中结果则相反。另外,IAD工艺要比EB工艺制备的反射膜中的节瘤在发生初始损伤后更易于损伤生长,说明薄膜镀制工艺对节瘤的损伤生长速度有一定的影响。

English Abstract

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