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新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器

袁浚 张正平 解意洋

袁浚, 张正平, 解意洋. 新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(6): 606005-0606005(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0606005
引用本文: 袁浚, 张正平, 解意洋. 新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(6): 606005-0606005(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0606005
Yuan Jun, Zhang Zhengping, Xie Yiyang. Study of single-fundamental-mode square-lattice photonic crystal vertical cavity surface emitting laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(6): 606005-0606005(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0606005
Citation: Yuan Jun, Zhang Zhengping, Xie Yiyang. Study of single-fundamental-mode square-lattice photonic crystal vertical cavity surface emitting laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(6): 606005-0606005(6). doi: 10.3788/IRLA201847.0606005

新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器

doi: 10.3788/IRLA201847.0606005
基金项目: 

国家自然科学基金(61604007,61376049,11674016,61378058,61575008,61574011);北京市自然科技基金(4172009,4152003);北京市教委创新能力提升计划(PXM2017_014204_500034,PXM2016_014204_500018)

详细信息
    作者简介:

    袁浚(1988-),男,工程师,博士生,主要从事光通信与集成光学和光电微系统技术方面的研究。Email:yjwlw@semi.ac.cn

  • 中图分类号: TN248.4

Study of single-fundamental-mode square-lattice photonic crystal vertical cavity surface emitting laser

  • 摘要: 高功率基横模垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光通信、传感、原子频标和光电混合集成等领域有着重要的应用,将光子晶体结构引入到VCSEL中,通过设计结构尺寸和分布,可以有效控制VCSEL的横向模式。课题组将正方形排列的光子晶体结构引入到VCSEL中,实现对VCSEL的横向模式和基横模出光功率控制,获得高基横模出光功率器件。通过采用平面波展开法(PWE)和全矢量三维时域有限差分方法(FDTD)对正方晶格结构光子晶体的合理设计,获得正方形排布光子晶体周期、占空比和刻蚀深度等重要参数。成功地制备出基横模出光功率大于3 mW,边模抑制比大于40 dB的正方晶格光子晶体VCSEL。
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    [20] 李文胜, 张琴, 黄海铭, 付艳华, 是度芳.  含单负材料光子晶体隧穿模的偏振特性 . 红外与激光工程, 2012, 41(8): 2033-2037.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-01-10
  • 修回日期:  2018-02-03
  • 刊出日期:  2018-06-25

新型正方晶格基横模光子晶体面发射激光器

doi: 10.3788/IRLA201847.0606005
    作者简介:

    袁浚(1988-),男,工程师,博士生,主要从事光通信与集成光学和光电微系统技术方面的研究。Email:yjwlw@semi.ac.cn

基金项目:

国家自然科学基金(61604007,61376049,11674016,61378058,61575008,61574011);北京市自然科技基金(4172009,4152003);北京市教委创新能力提升计划(PXM2017_014204_500034,PXM2016_014204_500018)

  • 中图分类号: TN248.4

摘要: 高功率基横模垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光通信、传感、原子频标和光电混合集成等领域有着重要的应用,将光子晶体结构引入到VCSEL中,通过设计结构尺寸和分布,可以有效控制VCSEL的横向模式。课题组将正方形排列的光子晶体结构引入到VCSEL中,实现对VCSEL的横向模式和基横模出光功率控制,获得高基横模出光功率器件。通过采用平面波展开法(PWE)和全矢量三维时域有限差分方法(FDTD)对正方晶格结构光子晶体的合理设计,获得正方形排布光子晶体周期、占空比和刻蚀深度等重要参数。成功地制备出基横模出光功率大于3 mW,边模抑制比大于40 dB的正方晶格光子晶体VCSEL。

English Abstract

参考文献 (17)

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