留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究

安恒 张晨光 杨生胜 薛玉雄 王光毅 王俊

安恒, 张晨光, 杨生胜, 薛玉雄, 王光毅, 王俊. SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(3): 320001-0320001(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0320001
引用本文: 安恒, 张晨光, 杨生胜, 薛玉雄, 王光毅, 王俊. SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(3): 320001-0320001(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0320001
An Heng, Zhang Chenguang, Yang Shengsheng, Xue Yuxiong, Wang Guangyi, Wang Jun. Investigation of single event transients on SiGe BiCMOS linear devices with pulsed laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(3): 320001-0320001(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0320001
Citation: An Heng, Zhang Chenguang, Yang Shengsheng, Xue Yuxiong, Wang Guangyi, Wang Jun. Investigation of single event transients on SiGe BiCMOS linear devices with pulsed laser[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(3): 320001-0320001(7). doi: 10.3788/IRLA201948.0320001

SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0320001
基金项目: 

国家自然科学基金(11705073)

详细信息
    作者简介:

    安恒(1982-),男,高级工程师,硕士,主要从事空间辐射效应及新型有效载荷技术方面的研究。Email:ahllbl@126.com

  • 中图分类号: TL99

Investigation of single event transients on SiGe BiCMOS linear devices with pulsed laser

  • 摘要: 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。
  • [1] Rao J B L, Mital R, Patel D P, et al. Low-cost phased array antenna for satellite communications on mobile earth stations[C]//IEEE International Symposium on Phased Array Systems Technology, 2013:214-219.
    [2] Li Hongzheng. Discussion of SiGe BiCMOS technology process integration[J]. Electronics and Packaging, 2012, 15(12):34-37. (in Chinese)李红征. SiGe BiCMOS工艺集成技术研究[J]. 电子与封装,2012, 15(12):34-37.
    [3] Zhang Jinxin, Guo Hongxia, Wen Lin, et al. Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25(9):2433-2438. 张晋新, 郭红霞, 文林, 等. 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25(9):2433-2438.
    [4] Cao Zhou, Xue Yuxiong, Yang Shiyu, et al. Laser simulation of single event effects[J]. Vacuum and Cryogenics, 2006, 12(3):166-172. (in Chinese)曹洲, 薛玉雄, 杨世宇, 等. 单粒子效应激光模拟试验技术研究[J]. 真空与低温, 2006, 12(3):166-172.
    [5] Chugg A, Jones R, Moutrie M, et al. Probing the charge-collection sensitivity profile using a picosecond pulsed laser at a range of wavelength[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2002, 49(6):2969-2976.
    [6] Buchner Stephen P, Florent Miller, Vincent Pouget, et al. Pulsed-laser testing for single-event effects investigations[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60(3):1852-1875.
    [7] Pease R L, Sternberg A L, Boulghassoul Y, et al. Comparison of SET's in bipolar linear circuits generated with an ion microbeam, laser light and circuit simulation[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2002, 49(6):3163-3170.
    [8] Wang Dekun, Cao Zhou, Liu Hainan, et al. Backside piuse laser testing for single event effect[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2011, 45(7):884-887.(in Chinese)王德坤, 曹洲,刘海南, 等. 脉冲激光背照射单粒子效应实验研究[J]. 原子能科学技术, 2011, 45(7):884-887.
    [9] Egorov A N, Chumakov A I, Mavritskiy O B, et al. Femtosecond laser simulation facility for SEE IC testing[C]//2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop Record, 2014:247-250.
    [10] Gordienko A V, Mavritskii O B, Egorov A N, et al. Correlation of the ionisation response at selected points of IC sensitive regions with SEE sensitivity parameters under pulsed laser irradiation[J]. Quantum Electronics, 2014, 44(12):1173-1178.
    [11] Armstrong S E, Loveless T D, Hicks J R, et al. Phase-dependent single-event sensitivity analysis of high-speed A/MS circuits extracted from asynchronous measurements[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2010, 58(6):1066-1071.
    [12] Wang Hongbo, Li Qin. Radiation effects and protection technology for optical componentsof fiber optic gyroscope[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(2):682-687. (in Chinese)王洪波, 李勤. 光纤陀螺光学器件的空间辐射效应及防护技术[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(2):682-687.
    [13] Zhang Hao, Wang Xinsheng, Li Bo, et al. Research on single event latchup protection technology for micro-satellite[J]. Infrared and Laser Engineering, 2015, 44(5):1444-1449. (in Chinese)张昊, 王新升, 李博, 等. 微小卫星单粒子闩锁防护技术研究[J]. 红外与激光工程, 2015, 44(5):1444-1449.
  • [1] 王云哲, 张鲁薇, 邵俊峰, 曲卫东, 康华超, 张引.  脉冲激光对石英基底Ta2O5/SiO2滤光膜的损伤效应研究 . 红外与激光工程, 2023, 52(3): 20220482-1-20220482-9. doi: 10.3788/IRLA20220482
    [2] 姚萍萍, 涂碧海, 邹征宇, 许智龙, 张爱文, 孙亮, 骆冬根, 洪津.  星载偏振相机模拟前端单粒子锁定及损伤机理 . 红外与激光工程, 2022, 51(3): 20210226-1-20210226-9. doi: 10.3788/IRLA20210226
    [3] 张晨光, 安恒, 王鷁, 曹洲.  激光模拟单粒子效应中单光子与双光子吸收诱导电荷量对比 . 红外与激光工程, 2022, 51(9): 20210954-1-20210954-6. doi: 10.3788/IRLA20210954
    [4] 周国清, 谭逸之, 周祥, 李伟豪, 李先行, 林港超, 胡皓程, 张烈平, 农学勤, 杨家志.  波长1 064 nm和532 nm脉冲激光大动态范围能量的测试方法及实验 . 红外与激光工程, 2021, 50(S2): 20200417-1-20200417-8. doi: 10.3788/IRLA20200417
    [5] 祖嘉琦, 武帅, 张海涛, 耿东晛, 卢姁.  光纤饱和吸收体掺镱全光纤化激光器 . 红外与激光工程, 2020, 49(6): 20190382-1-20190382-6. doi: 10.3788/IRLA20190382
    [6] 安恒, 李得天, 文轩, 张晨光, 王鷁, 马奎安, 李存惠, 薛玉雄, 杨生胜, 曹洲.  高速PWM单粒子瞬态效应脉冲激光模拟试验研究 . 红外与激光工程, 2020, 49(8): 20190533-1-20190533-7. doi: 10.3788/IRLA20190533
    [7] 周旋风, 陈前荣, 王彦斌, 朱荣臻, 李华, 任广森.  脉冲激光辐照CMOS相机的图像间断现象及机理 . 红外与激光工程, 2019, 48(3): 306002-0306002(6). doi: 10.3788/IRLA201948.0306002
    [8] 唐进迎, 雷武虎, 任晓东, 张坤, 张明鑫.  星载荷热控制辐冷板激光致热计算分析 . 红外与激光工程, 2018, 47(12): 1243002-1243002(8). doi: 10.3788/IRLA201847.1243002
    [9] 陈杉杉, 张合, 徐孝彬.  激光引信窄脉冲光源驱动电路设计 . 红外与激光工程, 2018, 47(S1): 16-22. doi: 10.3788/IRLA201847.S106004
    [10] 林正国, 金星, 常浩.  脉冲激光大光斑辐照空间碎片冲量耦合特性研究 . 红外与激光工程, 2018, 47(12): 1243001-1243001(6). doi: 10.3788/IRLA201847.1243001
    [11] 陈杉杉, 张合, 徐孝彬.  脉冲激光周向探测地面目标捕获建模与仿真 . 红外与激光工程, 2018, 47(2): 206001-0206001(11). doi: 10.3788/IRLA201847.0206001
    [12] 李永君, 肖俊峰, 朱立春, 张炯, 高斯峰, 唐文书, 南晴.  热障涂层厚度激光透射法红外热波检测技术研究 . 红外与激光工程, 2017, 46(7): 704003-0704003(5). doi: 10.3788/IRLA201746.0704003
    [13] 韩威, 郑翔, 赵柏秦.  激光探测小型化收发系统设计 . 红外与激光工程, 2017, 46(9): 906008-0906008(7). doi: 10.3788/IRLA201746.0906008
    [14] 张月, 王睿, 杨海峰.  线阵碲镉汞探测器对纳秒脉冲激光的反常响应规律及机理 . 红外与激光工程, 2017, 46(10): 1003003-1003003(7). doi: 10.3788/IRLA201748.1003003
    [15] 金星, 常浩, 叶继飞.  超短脉冲激光烧蚀冲量耦合测量方法 . 红外与激光工程, 2017, 46(3): 329002-0329002(7). doi: 10.3788/IRLA201746.0329002
    [16] 张震, 徐作冬, 程德艳, 师宇斌, 张检民.  FT-CCD的纳秒脉冲激光毁伤效应 . 红外与激光工程, 2017, 46(10): 1003001-1003001(5). doi: 10.3788/IRLA201746.1003001
    [17] 邵俊峰, 郭劲, 王挺峰, 郑长彬.  激光脉冲串对电荷耦合器件积累损伤效应研究 . 红外与激光工程, 2017, 46(10): 1003002-1003002(6). doi: 10.3788/IRLA201747.1003002
    [18] 张昊, 王新升, 李博, 周开兴, 陈德祥.  微小卫星单粒子闩锁防护技术研究 . 红外与激光工程, 2015, 44(5): 1444-1449.
    [19] 张长桃, 张朝阳, 蔡明霞, 丁伟, 毛卫平, 徐宇蓝.  脉冲激光热力冲击效应对电沉积的作用 . 红外与激光工程, 2015, 44(1): 65-70.
    [20] 宋燕星, 王晶, 冯其波, 陈士谦.  激光参数及激光超声探测方法对超声信号影响 . 红外与激光工程, 2014, 43(5): 1433-1437.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  436
  • HTML全文浏览量:  81
  • PDF下载量:  37
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2018-10-12
  • 修回日期:  2018-11-29
  • 刊出日期:  2019-03-25

SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究

doi: 10.3788/IRLA201948.0320001
    作者简介:

    安恒(1982-),男,高级工程师,硕士,主要从事空间辐射效应及新型有效载荷技术方面的研究。Email:ahllbl@126.com

基金项目:

国家自然科学基金(11705073)

  • 中图分类号: TL99

摘要: 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回