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基于回路的MOS电阻阵单像素红外模型建模方法研究

孙嗣良,  黄勇,  马斌,  陈韧,  孙力

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孙嗣良, 黄勇, 马斌, 陈韧, 孙力. 基于回路的MOS电阻阵单像素红外模型建模方法研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(12): 1226002-1226002(10). doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
引用本文: 孙嗣良, 黄勇, 马斌, 陈韧, 孙力. 基于回路的MOS电阻阵单像素红外模型建模方法研究[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(12): 1226002-1226002(10). doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
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Sun Siliang, Huang Yong, Ma Bin, Chen Ren, Sun Li. Research on infrared single pixle modeling for MOS resistor array based on loop[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(12): 1226002-1226002(10). doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
Citation: Sun Siliang, Huang Yong, Ma Bin, Chen Ren, Sun Li. Research on infrared single pixle modeling for MOS resistor array based on loop[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019, 48(12): 1226002-1226002(10). doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
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基于回路的MOS电阻阵单像素红外模型建模方法研究

doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
  • 1.

    西北工业大学 航天学院 飞行控制研究所,陕西 西安 710072;

  • 2.

    中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083;

  • 3.

    航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所,陕西 西安 710065

基金项目: 

中国科学院上海技术物理研究所2017年开放课题（IIMDKFJJ-17-10）

详细信息
    作者简介:

    孙嗣良(1982-),男,助理研究员,主要从事红外目标仿真、可见光目标仿真技术等方面的研究。Email:ssl250@aliyun.com

  • 中图分类号: TP391.9

Research on infrared single pixle modeling for MOS resistor array based on loop

  • 1.

    Flight Control Institute,College of Astronautics,Northwestern Polytechnical University,Xi'an 710072,China;

  • 2.

    Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;

  • 3.

    Institute of Automatic Flight Control,China Aviation Industry Co. Ltd.,Xi'an 710065,China

  • 摘要: MOS电阻阵目前在红外仿真领域有着广泛的应用和重要的作用。作为红外半实物仿真链路中的核心器件，其成像效果直接关系到最终仿真结果的准确度和置信度。目前的红外仿真数字信号进入电阻阵后会产生一系列图像退化和耦合失真问题，因此需要从MOS电阻阵的成像机理出发，分析其成像原理及能量传递过程，针对单个像元建立符合其自身物理特性的过程及辐射模型。通过输入信号与输出信号的函数关系来量化和验证模型的准确度和置信度。这个模型作为MOS电阻阵的基础模型对未来研究更大规模电阻阵的耦合特性、反向模型及非均匀性校正均有重要的理论基础和实际工程应用价值和意义。
    Abstract: MOS resistor arrays are widely used and play an important role in infrared simulation field. As the core device in the infrared hardware-in-the-loop simulation link, the imaging effect is directly related to the accuracy and confidence of the final simulation results. At present, a series of problems, such as image degradation and coupling distortion, will occur when the infrared simulation digital signal enters the MOS resistor array. Therefore, it is necessary to analyze the imaging principle and energy transfer process of the MOS resistor array based on its imaging mechanism, and to establish a process and radiation model for a single pixel which conforms to its own physical characteristics. The accuracy and confidence of the model were quantified and verified by the functional relationship between the input signal and the output signal. These achievements could provide an important theoretical basis for future research on coupling characteristics, reverse correction models and non-uniformity correction of larger scale MOS resistor arrays, while having significant value in practical engineering applications.
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-07-11
  • 修回日期:  2019-08-21
  • 刊出日期:  2019-12-25

基于回路的MOS电阻阵单像素红外模型建模方法研究

doi: 10.3788/IRLA201948.1226002
  • 1. 西北工业大学 航天学院 飞行控制研究所,陕西 西安 710072;
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083;
  • 3. 航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所,陕西 西安 710065
    • 作者简介:

    孙嗣良(1982-),男,助理研究员,主要从事红外目标仿真、可见光目标仿真技术等方面的研究。Email:ssl250@aliyun.com

  • 收稿日期: 2019-07-11
  • 修回日期: 2019-08-21
  • 刊出日期: 2019-12-25
基金项目:

中国科学院上海技术物理研究所2017年开放课题（IIMDKFJJ-17-10）

  • 中图分类号: TP391.9

摘要: MOS电阻阵目前在红外仿真领域有着广泛的应用和重要的作用。作为红外半实物仿真链路中的核心器件，其成像效果直接关系到最终仿真结果的准确度和置信度。目前的红外仿真数字信号进入电阻阵后会产生一系列图像退化和耦合失真问题，因此需要从MOS电阻阵的成像机理出发，分析其成像原理及能量传递过程，针对单个像元建立符合其自身物理特性的过程及辐射模型。通过输入信号与输出信号的函数关系来量化和验证模型的准确度和置信度。这个模型作为MOS电阻阵的基础模型对未来研究更大规模电阻阵的耦合特性、反向模型及非均匀性校正均有重要的理论基础和实际工程应用价值和意义。

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