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单脉冲作用后的烧蚀形貌如图2(a)所示。在单脉冲烧蚀下,损伤坑的直径随着脉冲能量的增加而增加。图2(b)所示为D2(损伤坑直径的平方)与EP的半对数图的相对线性拟合,$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h}} $可以通过线性外推到D2 =0获取。实验测得单脉冲下的烧蚀阈值为(11.77±1.81) J/cm2。图2(c)所示为YAG晶体的单脉冲作用SEM图,可以看出,在飞秒激光作用后,烧蚀坑内和周围形成了一定数量的纳米颗粒。图2(d)所示为单脉冲下烧蚀坑的AFM测量结果,在图中所示能量范围的单脉冲飞秒激光作用后,烧蚀坑直径约为1.5~3 μm,烧蚀深度约为170~290 nm。
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多脉冲作用下,孵化效应在烧蚀过程中扮演重要角色。在介电材料和半导体材料中,由外部激光作用引起的晶格缺陷,可以在带隙中产生额外的能级。新的激发路径的存在有利于对后续激光脉冲能量的吸收[5]。缺陷密度随着激光辐照脉冲数的增加而增加,直到达到饱和[22]。同时,缺陷的积累将导致有效吸收系数增加[23],表面烧蚀阈值随之降低,直到达到饱和。
图3(a)为激光重频300 kHz、脉冲数量N=3 000时,不同烧蚀能量下的烧蚀坑形貌。随着激光功率的增加,烧蚀坑直径随之增加,且同一功率下的烧蚀坑直径大小基本相当。图3(b)为脉冲能量为1.67 μJ时,不同脉冲数飞秒激光作用后的烧蚀坑形貌。可见在脉冲数较少时,烧蚀坑的直径更小。随着作用脉冲数的增加,烧蚀坑的直径也随之增加。当脉冲数超过600后,作用材料的脉冲数增加对直径大小的增加效果显著降低。实验中观察到作用脉冲数较少时,相同实验参数的多组重复实验中烧蚀坑的大小之间的差异比多脉冲作用下大,这是由于相对于作用脉冲数较多的情况,作用脉冲数较少时烧蚀坑的大小、形貌受前期的激光脉冲作用产生的已形成的表面局部形貌影响更大。材料的去除主要是由于热气化和库伦爆炸,纳米颗粒将再沉积于烧蚀坑内或周围。单脉冲作用后的纳米颗粒沉积如图2(c)所示,这些纳米颗粒将导致后续激光脉冲作用时的能量沉积受到调制[24]。由于纳米颗粒的具体位置具有一定随机性,将导致在作用脉冲数较少时,烧蚀坑大小形状具有一定差异;当脉冲数较多时,烧蚀坑的大小仅受阈值影响。
Figure 3. (a) Optical micrographs (1000×) of YAG crystals after ablation with different pulse energies, with pulse number N=3 000; (b) Optical micrographs (1000×) of YAG crystals ablated with different pulse numbers, with pulse energy EP 1.67=μJ; (c) AFM ablation morphology of YAG crystals under multi-pulse action; (d) Cross section diagram of ablation craters under multi-pulses
由图3(c)和图3(d)可得,多脉冲作用下,YAG的烧蚀形貌极不规则,烧蚀直径为7~8 μm,烧蚀深度为600~900 nm。在同样的激光能量下,单脉冲作用后的烧蚀坑深度较浅,直径较小,而多脉冲作用后的烧蚀坑边缘出现了不规则的凸起(烧蚀产生的纳米颗粒堆积),烧蚀坑内壁变得更为粗糙。根据AFM测量所得的YAG晶体单脉冲烧蚀坑直径,求得其单脉冲烧蚀阈值为$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},1} $=(12.16±2.43) J/cm2,该值与光学显微镜下的结果基本一致。
随着脉冲能量和脉冲数量的增加,烧蚀孔直径随之增加,烧蚀阈值明显降低。图4所示为多脉冲烧蚀的D2与EP半对数图。图中,黑色拟合曲线(N=3)和红色拟合曲线(N=30)的相对间距较大,而蓝色曲线(N=600)与绿色曲线(N=50 000)的相对间距明显变小,表明在脉冲数较少的情况下,烧蚀阈值急剧降低。随着脉冲数的增加,拟合曲线间的相对距离增加速度变缓,即烧蚀阈值的降低速度急剧变缓。当脉冲数足够多时,拟合曲线将逐渐趋于重合,此时孵化饱和发生。曲线的斜率对应飞秒激光作用在材料表面的光斑面积,通过对拟合曲线斜率的计算,可以得到作用于材料表面处的光斑大小[25]。四条拟合曲线斜率基本一致,即激光光斑大小在样品表面处基本相同。
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研究者们相继建立了三种孵化模型来描述多脉冲作用下材料的烧蚀规律,被广泛用于各种介电材料和半导体材料[5,17,26]孵化效应的研究。文中分别采用上述三种模型,对单脉冲和多脉冲飞秒激光烧蚀下的孵化效应进行分析。
模型Ⅰ:Jee等人引入孵化系数S,将多脉冲阈值能流密度$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h}} $(N)和单脉冲阈值能流密度$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},1} $通过幂函数[27]进行了描述,如下式所示:
通过模型Ⅰ拟合得到$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},1} $=(12.27±3.56) J/cm2,与AFM及光学显微镜的测量结果较为接近,而在多脉冲下的拟合结果误差较大。模型Ⅰ(图5中红色曲线)能较为准确地拟合少脉冲数下的烧蚀阈值。在脉冲数很少时,烧蚀坑大小具有不稳定性,烧蚀阈值的测量结果误差增加,而通过模型Ⅰ可以一定程度上解决这一困难。
Figure 5. Experimental and fitting results of ablation threshold energy flux density (black sphere) $ {{F}}_{\rm{t}\rm{h}} $(N) as a semi logarithmic function of laser pulse number N under the shot of multi pulse femtosecond laser (The red curve (Model I), blue curve (Model II), and green curve (Model III) correspond to the linear fitting of the three models, respectively)
模型Ⅱ:在模型Ⅰ的基础上,Di Niso等人引入了偏置值${{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},\mathrm{\infty }}$(孵化饱和阈值能流密度[28])对模型进行优化,用于描述孵化饱和的现象,如下式所示:
模型Ⅱ的拟合结果如图5中蓝色曲线所示,其具有很高的拟合度和相关系数。通过模型所得的${{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},\mathrm{\infty }}=(1.82\pm$0.37) J/cm2与实验观察的结果最为吻合。相比模型Ⅰ,在脉冲数量较多时,模型Ⅱ对孵化饱和现象具有很好的拟合结果,较好地描述了实验中随着脉冲数量增多、烧蚀阈值降低的趋势逐渐减缓、直到相对稳定的现象。但当作用脉冲数小于10时,模型Ⅱ过高地估计了此时的烧蚀阈值。
孵化系数S为取决于目标材料的经验系数,孵化系数能够很好地反映飞秒激光多脉冲烧蚀过程中的孵化效应强度。模型Ⅰ和模型Ⅱ的S取值在0~1之间。模型Ⅰ中,S越小,材料的孵化效应越强,烧蚀阈值随辐照脉冲数下降越快。S趋于1时,烧蚀阈值随脉冲数的增加降低变慢,此时的孵化效应逐渐变弱。S=1时,不存在孵化效应,此时材料的烧蚀阈值与脉冲数无关。模型Ⅰ最初主要应用于金属的孵化效应解释,由于未考虑孵化效应饱和的情况,拟合结果为理想情况下的孵化效应,即随着脉冲数的增加,多脉冲烧蚀阈值持续降低,直到在无限脉冲数下降到0,因此该模型具有一定的局限性。在模型Ⅰ的基础上提出的模型Ⅱ考虑了近似在无限脉冲数下的饱和现象,引入一个恒定的饱和阈值量,更好地解释了孵化现象。模型Ⅱ的孵化系数(S=0.42±0.17) 相较于模型Ⅰ(0.76±0.08)明显降低,这是由于在实际情况下,孵化效应会发生饱和,饱和孵化阈值的引入必然导致观察到的孵化效应增强,S随之降低。
模型Ⅲ:类似于模型Ⅱ,Rosenfeld等人也考虑了偏置值(孵化饱和阈值能流密度)$ {{F}}_{\mathrm{t}\mathrm{h},\mathrm{\infty }} $,建立了指数函数孵化模型[2]来描述多脉冲下的孵化饱和现象,如下式所示:
不同于模型Ⅰ和模型Ⅱ,模型Ⅲ使用因子k表示指数模型的孵化系数。指数孵化模型的整体(单脉冲和多脉冲)衰减过程与实验吻合的整体趋势最为相近。从与实验结果的误差大小来看,模型Ⅲ(图5中绿色曲线)在整体上能够较好地拟合不同脉冲数下的烧蚀阈值,但在单脉冲和多脉冲下的拟合效果分别差于模型Ⅰ和模型Ⅱ。
模型Ⅲ的因子k也为取决于目标材料的经验系数,但根据材料的孵化强度,k的值理论上可以取任何正值。在透明材料中,孵化系数一般在0.06左右,k对应孵化强度,表示单位脉冲数作用后烧蚀阈值的改变度。k值越大,材料的孵化效应越强,烧蚀阈值随脉冲数的增加下降得越快,孵化饱和的发生所需的脉冲数越少。在烧蚀阈值降低到一定值后,继续增加作用脉冲数,烧蚀阈值的改变量将越来越小,与该模型的结果一致。模型Ⅲ已广泛用于电介质材料孵化效应的解释,如石英、蓝宝石、氟化钙和氮化镓等,并具有最佳的整体拟合度。
表1总结了的三种不同孵化模型的拟合参数,其中R2表示模型的拟合函数和实验数据的相关系数。显然,在不考虑脉冲数较少的情况下,模型Ⅱ具有最高的拟合相关系数;而当考虑脉冲数较少的拟合时,模型Ⅲ则为相关系数最高且适用的模型。
Parameter Model Ⅰ Model Ⅱ Model Ⅲ Fth,1/J·cm–2 12.27±3.56 17.79±3.63 11.34±0.83 Fth,∞/J·cm–2 - 1.82±0.37 2.04±0.18 S 0.76±0.08 0.42±0.17 - k - - 0.061±0.012 R2 0.891 0.990 0.977 Table 1. Figure 5 fits the results
不同的模型具有不同的适用性,在不同的条件下,可采用不同的模型来描述材料在不同脉冲数作用下的烧蚀过程。文中拟合得到的模型Ⅰ的孵化系数S、模型Ⅲ的孵化系数k与文献报道的其他透明材料(如石英[5]和蓝宝石[2])相当,所得孵化模型结果也与文献中基本一致。模型Ⅱ的孵化系数较文献中其他材料大了约一倍,但相关系数明显更高,对多脉冲(脉冲数大于10)下YAG晶体的孵化效应拟合较好。文中研究获得了波长为1030 nm、脉宽为400 fs的飞秒激光作用下YAG晶体烧蚀阈值。针对YAG晶体烧蚀过程,对比了三种常用的孵化模型对不同脉冲数作用下烧蚀阈值的拟合效果。研究发现,三种模型对不同脉冲数下的烧蚀阈值具有不同的拟合准确度,通过三种模型可以一定程度上得到所有脉冲数作用下的较为准确的烧蚀阈值,对飞秒激光加工过程中的参数控制具有重要意义。电子科技大学的Xu等人[29]报道的YAG晶体在800 nm飞秒激光(脉宽479 fs)辐照下的烧蚀阈值为5.04 J/cm2,约为文中的1/2。YAG晶体是宽带隙材料,通过多光子吸收过程吸收激光能量,在这个过程中,吸收的光子阶数越高,吸收系数则越小[30]。1030 nm激光的光子能量低于800 nm激光的光子能量,需要更高阶多光子吸收才能有效实现激光能量的有效吸收。因此,1030 nm飞秒激光作用下的烧蚀阈值相较于800 nm大幅上升。
Threshold and incubation effect of femtosecond laser ablation of YAG crystals
doi: 10.3788/IRLA20230583
- Received Date: 2023-12-08
- Rev Recd Date: 2024-01-26
- Publish Date: 2024-03-21
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Key words:
- femtosecond laser /
- ablation threshold /
- incubation effect /
- incubation model
Abstract: