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原子层沉积法制备微通道板发射层的性能

丛晓庆 邱祥彪 孙建宁 李婧雯 张智勇 王健

丛晓庆, 邱祥彪, 孙建宁, 李婧雯, 张智勇, 王健. 原子层沉积法制备微通道板发射层的性能[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(9): 916002-0916002(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0916002
引用本文: 丛晓庆, 邱祥彪, 孙建宁, 李婧雯, 张智勇, 王健. 原子层沉积法制备微通道板发射层的性能[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(9): 916002-0916002(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0916002
Cong Xiaoqing, Qiu Xiangbiao, Sun Jianning, Li Jingwen, Zhang Zhiyong, Wang Jian. Properties of microchannel plate emission layer deposited by atomic layer deposition[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(9): 916002-0916002(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0916002
Citation: Cong Xiaoqing, Qiu Xiangbiao, Sun Jianning, Li Jingwen, Zhang Zhiyong, Wang Jian. Properties of microchannel plate emission layer deposited by atomic layer deposition[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(9): 916002-0916002(6). doi: 10.3788/IRLA201645.0916002

原子层沉积法制备微通道板发射层的性能

doi: 10.3788/IRLA201645.0916002
详细信息
    作者简介:

    丛晓庆(1977-),女,高级工程师,硕士,主要从事微通道板方面的研究。Email:cong_stone@163.com

  • 中图分类号: TN223

Properties of microchannel plate emission layer deposited by atomic layer deposition

  • 摘要: 随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜,作为二次电子发射功能层,可以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜。研究结果表明,微通道板增益随沉积氧化铝厚度的变化而变化,在氧化铝厚度为60 cycles时,施加偏压800 V时增益可达56 000,约为正常微通道板增益的12倍。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-20
  • 修回日期:  2016-02-13
  • 刊出日期:  2016-09-25

原子层沉积法制备微通道板发射层的性能

doi: 10.3788/IRLA201645.0916002
    作者简介:

    丛晓庆(1977-),女,高级工程师,硕士,主要从事微通道板方面的研究。Email:cong_stone@163.com

  • 中图分类号: TN223

摘要: 随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜,作为二次电子发射功能层,可以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜。研究结果表明,微通道板增益随沉积氧化铝厚度的变化而变化,在氧化铝厚度为60 cycles时,施加偏压800 V时增益可达56 000,约为正常微通道板增益的12倍。

English Abstract

参考文献 (12)

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